[發明專利]一種高速CMOS圖像傳感器在審

申請號：	201510217404.0	申請日：	2015-04-30
公開（公告）號：	CN104835825A	公開（公告）日：	2015-08-12
發明（設計）人：	金湘亮;劉維輝	申請（專利權）人：	湘潭大學
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146;H04N5/374
代理公司：	湘潭市匯智專利事務所(普通合伙) 43108	代理人：	顏昌偉
地址：	411201***	國省代碼：	湖南;43
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高速 cmos 圖像傳感器
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【權利要求書】：

1.一種高速CMOS圖像傳感器，包括鉗位光電二極管、浮空擴散節點、電荷傳輸晶體管、復位晶體管、源跟隨晶體管和行選擇晶體管；復位晶體管和源跟隨晶體管的漏極分別與電源電壓相連，所述源跟隨晶體管的源極與行選擇晶體管的漏極相連，所述行選擇晶體管的源極接輸出列總線，所述復位晶體管的源極和源跟隨晶體管的柵極分別經浮空擴散節點、電荷傳輸晶體管與鉗位光電二極管相連，所述鉗位光電二極管包括P型雜質襯底、P型重摻雜鉗位層和N型埋層，所述P型雜質襯底內從上至下依次設有P型重摻雜鉗位層和N型埋層，其特征在于，所述N型埋層的寬度從靠近電荷傳輸晶體管一側向另一側逐漸變窄，所述P型重摻雜鉗位層覆蓋住所述N型埋層并直接與P型雜質襯底相連。

2.如權利要求1所述的高速CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述N型埋層呈喇叭形、扇形、三角齒形、三角形或梯形。

3.如權利要求1所述的高速CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述P型重摻雜鉗位層至少覆蓋所述N型埋層0.2-0.5μm。

4.如權利要求1所述的高速CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述P型重摻雜鉗位層為結深在100nm內的淺結。

5.如權利要求1至4任一項所述的高速CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述電荷傳輸晶體管、復位晶體管、源跟隨晶體管、行選擇晶體管為N型晶體管。

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