[發(fā)明專利]發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備以及照明裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510214526.4 | 申請日： | 2010-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN104900816B | 公開（公告）日： | 2017-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 能渡廣美;瀨尾哲史;大澤信晴;簡井哲夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L51/54 | 分類號： | H01L51/54;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 項丹 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 裝置 電子設(shè)備 以及 照明 | ||
1.一種發(fā)光元件，包括：
陽極；
所述陽極上的EL層；
所述EL層上的第三層，所述第三層包含第二施主物質(zhì)和具有電子傳輸性的第二物質(zhì)；
所述第三層上并接觸于所述第三層的第二層，所述第二層包含第一施主物質(zhì)和具有電子傳輸性的第一物質(zhì)；
所述第二層上并接觸于所述第二層的第一層，所述第一層包含具有空穴傳輸性的第四物質(zhì)和受主物質(zhì)；以及
所述第一層上的陰極，
其中，所述第一物質(zhì)的LUMO能級低于所述第二物質(zhì)的LUMO能級。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中，所述第四物質(zhì)為芳香胺化合物、咔唑衍生物或芳香烴。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中，所述受主物質(zhì)為過渡金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中，所述受主物質(zhì)為氧化鉬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中，所述第一施主物質(zhì)和所述第二施主物質(zhì)獨立地選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包括：
所述陽極和所述第三層之間的第四層，所述第四層具有電子傳輸性，
其中，所述第四層接觸于所述第三層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，
其中，所述第一層具有包含所述第四物質(zhì)的層和包含所述受主物質(zhì)的層的疊層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，還包括所述陽極上并接觸于所述陽極的第五層，
其中，所述第五層包含具有空穴傳輸性的第三物質(zhì)和第二受主物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，
其中，所述第三物質(zhì)為芳香胺化合物、咔唑衍生物或芳香烴。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光元件，
其中，所述第二受主物質(zhì)為過渡金屬氧化物。
11.一種包括權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的發(fā)光裝置。
12.一種包括權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置的電子設(shè)備。
13.一種包括權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置的照明裝置。
14.一種發(fā)光元件，包括：
陽極；
所述陽極上的EL層；
所述EL層上的第三層，所述第三層包含第二施主物質(zhì)和具有電子傳輸性的第二物質(zhì)；
所述第三層上并接觸于所述第三層的第二層，所述第二層包含第一施主物質(zhì)和具有電子傳輸性的第一物質(zhì)；
所述第二層上并接觸于所述第二層的第一層，所述第一層包含具有空穴傳輸性的第四物質(zhì)和受主物質(zhì)；以及
所述第一層上的陰極，
其中，所述第一物質(zhì)的LUMO能級低于所述第二物質(zhì)的LUMO能級；
其中，所述第一物質(zhì)為二萘嵌苯衍生物或含氮稠合芳香化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，
其中，所述第四物質(zhì)為芳香胺化合物、咔唑衍生物或芳香烴。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，
其中，所述受主物質(zhì)為過渡金屬氧化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，
其中，所述受主物質(zhì)為氧化鉬。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，
其中，所述第一施主物質(zhì)和所述第二施主物質(zhì)獨立地選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，還包括：
所述陽極和所述第三層之間的第四層，所述第四層具有電子傳輸性，
其中，所述第四層接觸于所述第三層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，
其中，所述第一層具有包含所述第四物質(zhì)的層和包含所述受主物質(zhì)的層的疊層結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，還包括所述陽極上并接觸于所述陽極的第五層，
其中，所述第五層包含具有空穴傳輸性的第三物質(zhì)和第二受主物質(zhì)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
