[發明專利]填充劑及片式元件的表面處理方法

有效

• 申請號: 201510208930.0
• 申請日: 2015-04-28
• 公開（公告）號: CN104795367B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 歐愛良;樊應縣;朱建華;高永毅;尹紅葵;曹華春;王智會
• 申請（專利權）人: 深圳振華富電子有限公司
• 主分類號: H01L23/16
• 分類號: H01L23/16;H01L21/54
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及一種填充劑及使用該填充劑的片式元件的表面處理方法。

背景技術

隨著現代科學技術及信息產業的飛速發展，電子元件使用越來越廣泛，用量越來越大。同時車載電子、通訊導航、航空航天等產業的迅猛發展，對電子元件的可靠性提出了越來越高的要求。而電子元件端電極的質量對其電性能、焊接性能等可靠性指標有重要影響。作為三大基礎電子元器件，片式電感器、電容器、電阻器在制造的過程中一般采用三層端頭電極技術。三層端頭電極由三層電極組成：基底電極(銀層或銅層)、中間電極層(鎳層)和外部電極層(錫層或錫鉛合金層)。引出端的第一層即基底電極，通過涂覆導電漿料(銀漿或銅漿)，再燒成固化制作而成，其作用均是通過燒結后與基體材料緊密結合，同時將元件內電極引出，并作為后續電鍍鎳、錫層的底層，是整個端電極形成最重要的一步。端漿在燒結過程中，溶劑揮發，形成的金屬層內部不可避免會產生微孔隙，并部分貫穿至表面，產品后續在電鍍過程中，電鍍液易進入底層并滯留在微孔處，經過電鍍鎳、錫層完成封閉。滯留在端頭微孔內的電鍍液對產品可靠性能有極大的不良影響。

對于上述問題，傳統的處理方法有兩種：一種是在端漿材料及配比上做出改進，降低漿料層燒結后的孔隙率，提升致密性，達到減少溶液進入電極孔隙的目的，但因漿料燒結一定會存在氣體逸出，電極表面及內部存在孔隙均不可避免，使得此類改進達到的效果非常有限且難度極大；另一種為增加中間層鎳層的厚度，此類方法只能降低產品貼裝時出現噴錫現象的幾率，并不能避免進入電極內部的溶液腐蝕連接電極造成電性能失效，且增加鎳層厚度將導致成本增加。

發明內容

基于此，有必要提供一種可以對片式元件表面的微孔進行密封的填充劑及使用該填充劑的片式元件表面處理方法。

一種填充劑，按照質量份數計包括以下組分：

在其中一個實施例中，所述醇選自乙醇、異丙醇及異丁醇中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述乙烯基硅烷偶聯劑選自乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷及乙烯基三(甲氧基乙氧基)硅烷中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述有機羧酸選自乙酸、甲酸、丙酸中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述填充劑的pH值為4.0～5.5。

一種片式元件的表面處理方法，包括如下步驟：

將片式元件浸泡于權利要求1～5任一項所述的填充劑中并進行超聲處理；及

將超聲處理后的所述片式元件烘干。

在其中一個實施例中，將片式元件浸泡于權利要求1～5任一項所述的填充劑中并進行超聲處理的步驟之前還包括步驟：對所述片式元件進行超聲清洗去除所述片式元件表面的雜質。

在其中一個實施例中，還包括步驟：將烘干后的所述片式元件進行拋光處理。

在其中一個實施例中，所述烘干的條件為：90℃～120℃下烘干60分鐘～100分鐘。

在其中一個實施例中，所述超聲處理的時間為8分鐘～15分鐘。

上述填充劑中乙烯基硅烷偶聯劑為成膜劑，醇水溶液為溶劑、有機羧酸調節pH值同時作為乙烯基硅烷偶聯劑水解成膜的催化劑，成分簡單，配置容易，不含有重金屬離子，無揮發性有害氣體，且使用簡單；通過填充劑里面硅烷偶聯劑的交聯作用反應，在金屬端頭表面形成一層具有良好耐腐蝕性和附著力的聚硅烷膜，這層膜可對片式元件表面的微孔進行密封，有效阻隔外界腐蝕性物質對金屬材料的腐蝕，而且由于偶聯劑上大量有機官能團的存在，具有很強的疏水性能，阻隔了無機溶液對底材的浸濕，阻止或延緩了腐蝕的發生。

附圖說明

圖1為硅烷在金屬表面形成凝膠膜分子結構示意圖；

圖2為固化后的硅烷膜分子結構示意圖；

圖3為一實施方式的片式元件的表面處理方法的流程圖；

圖4為實施例4的片式元件鍍鎳后的端頭截面顯微照片；

圖5為對比例的片式元件鍍鎳后的端頭截面顯微照片。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似改進，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。

一實施方式的填充劑，按照質量份數計包括以下組分：