[發明專利]一種陽極腐蝕箔制造方法及一種鋁箔腐蝕電解槽

有效

• 申請號: 201510207912.0
• 申請日: 2015-04-28
• 公開（公告）號: CN104835647B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 王憲;楊海亮;羅向軍
• 申請（專利權）人: 乳源瑤族自治縣東陽光化成箔有限公司
• 主分類號: H01G9/045
• 分類號: H01G9/045;H01G9/055;C25F3/04
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司44425
• 代理人: 潘雯瑛

1.一種陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于包括鋁箔預處理、一電解、二電解、三電解和后處理5個步驟，其中所述一電解在電解槽內進行，該電解槽包括電解槽本體和兩塊電極板，所述電解槽本體內裝有電解液，所述兩塊電解板平行設置在電解槽內，所述一電解為：鋁箔在電解槽內進行V字形運動，其中前半V是鋁箔向下進入電解槽本體內并從兩塊電極板之間通過的過程，后半V是鋁箔從兩塊電極板外側的底部折返向上離開電解槽本體的過程，所述前半V中鋁箔進行直流電解，所述后半V中鋁箔進行化學腐蝕，且后半V化學腐蝕時冷卻降溫，其溫度低于前半V直流電解的溫度。

2.根據權利要求1所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述一電解的方法為將預處理后的鋁箔置于25-45Wt％的硫酸、2-6Wt％的鹽酸以及0.5-1.5Wt％的鋁離子的電解液中，前半V在72-78℃下極板間加直流電處理75-95s，電流密度為0.2-0.5A/cm²；后半V的溫度為25-75℃，處理75-95s，后水洗。

3.根據權利要求2所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述一電解后半V溫度為25-45℃。

4.根據權利要求3所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述一電解后半V的低溫環境由冷卻裝置營造。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述二電解的方法為將經過一電解腐蝕的腐蝕箔置于4-10Wt％硝酸、0.01％-0.1Wt％聚丙烯酸的水溶液中，50-70℃下直流電解腐蝕，時間為120-240s，電流密度為0.08-0.2A/cm²，后水洗。

6.根據權利要求5所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述三電解的方法為將經過二電解腐蝕的腐蝕箔置于4-10Wt％硝酸和0.01％-0.1Wt％聚丙烯酸的水溶液中，50-70℃下直流電解腐蝕，時間為120-240s，電流密度為0.08-0.2A/cm²，后水洗。

7.根據權利要求6所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述后處理的方法為將經過三電解腐蝕的腐蝕箔置于1-5Wt％硝酸中，在50-70℃下處理60-180s，后水洗烘干。

8.根據權利要求7所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述一電解采用1V或2V或3V電解槽。

9.根據權利要求7所述的陽極腐蝕箔制造方法，其特征在于：所述二電解和三電解均采用1-3個2V或4V的電解槽。

10.一種鋁箔腐蝕電解槽，包括電解槽本體和兩塊電極板，所述兩塊電極板位于電解槽本體內部且平行放置，其特征在于：還包括一個冷卻裝置，所述冷卻裝置位于電極板外側，該冷卻裝置包括兩塊冷卻板，所述兩塊冷卻板與電解板平行放置，兩塊冷卻板形成一個狹長的鋁箔通道。