[發明專利]TFT陣列基板、其制作方法、液晶顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510193977.4
• 申請日: 2015-04-22
• 公開（公告）號: CN104777650B
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 梁魁;封賓;白金超;袁劍峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種TFT陣列基板，包括：襯底基板，設置在所述襯底基板上位于兩個PAD區域之間呈三角狀的公共電極金屬層，以及設置在所述公共電極金屬層上的絕緣層，所述PAD區域為所述TFT陣列基板上的顯示區域外圍的布線區域；其特征在于，其中，

所述絕緣層的表面具有至少一個第一凹槽；

設置在所述絕緣層上且與所述絕緣層直接接觸的透明導電層；所述透明導電層具有與所述絕緣層的第一凹槽相匹配的第二凹槽，且所述透明導電層通過所述第一凹槽與所述公共電極金屬層電性相連；

所述公共電極金屬層的至少一部分的表面上具有與所述絕緣層的第一凹槽位置對應的第三凹槽。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極金屬層與所述TFT陣列基板的柵極同層設置；

所述絕緣層包括在所述襯底基板上層疊設置的柵絕緣層和鈍化層，至少一個所述第一凹槽位于所述柵絕緣層和鈍化層之間。

3.如權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：在所述襯底基板和所述公共電極金屬層之間設置有第二電極金屬層。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極金屬層與所述TFT陣列基板的源漏極同層設置；

所述絕緣層為鈍化層，所述鈍化層具有至少一個所述第一凹槽。

5.如權利要求1-4任一項所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽的開口形狀為條狀或孔狀。

6.一種如權利要求1-5任一項所述的TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成公共電極金屬層的圖形；

在所述公共電極金屬層上形成具有至少一個第一凹槽的絕緣層的圖形。

7.如權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述形成具有至少一個第一凹槽的絕緣層的圖形之后，包括：

在所述絕緣層上形成具有第二凹槽的透明導電層的圖形，且所述透明導電層通過所述第一凹槽與所述公共電極金屬層電性相連。

8.一種液晶顯示面板，包括相對設置的對向基板和TFT陣列基板，以及位于所述對向基板和TFT陣列基板之間的液晶層；其特征在于，其中，

所述TFT陣列基板為權利要求1-5任一項所述的TFT陣列基板。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8所述的液晶顯示面板。