[發(fā)明專(zhuān)利]絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510189276.3
• 申請(qǐng)日: 2015-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104752429B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉張李
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：作為絕緣層的掩埋氧化物層、以及布置在掩埋氧化物層上的器件區(qū)和體區(qū)；其中，在器件區(qū)中形成有溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)；而且，溝道區(qū)上依次布置有柵極氧化層和柵極多晶硅；體區(qū)中的硅層與溝道區(qū)連成一體，而且體區(qū)中的硅層上形成有與柵極多晶硅連成一體的多晶硅連接區(qū)；柵極多晶硅和多晶硅連接區(qū)具有第一摻雜類(lèi)型；溝道區(qū)和硅層具有第二摻雜類(lèi)型，由此在多晶硅連接區(qū)和硅層之間形成了反向二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，多晶硅連接區(qū)連接?xùn)艠O多晶硅，而且連接作為體區(qū)的硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，在絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件的柵極多晶硅和體區(qū)之間形成了反向二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一摻雜類(lèi)型是N型摻雜，第二摻雜類(lèi)型是P型摻雜；或者第一摻雜類(lèi)型是P型摻雜，第二摻雜類(lèi)型是N型摻雜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，掩埋氧化物層布置在硅基底層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，源極區(qū)通過(guò)通孔連接至源極金屬布線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，漏極區(qū)通過(guò)通孔連接至漏極金屬布線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體上硅射頻開(kāi)關(guān)器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，柵極多晶硅通過(guò)通孔連接至柵極金屬布線。