[發明專利]一種GaN外延廢片回收的方法

有效

• 申請號: 201510187404.0
• 申請日: 2015-04-20
• 公開（公告）號: CN104779326B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 李培咸;孟錫俊;王旭明;陳勘;劉大為;張翼;郭遲;黃兆斌;廉大楨;李建婷;李瑋霖;張陽
• 申請（專利權）人: 西安中為光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京鼎宏元正知識產權代理事務所(普通合伙)11458
• 代理人: 李波,武媛

1.一種GaN外延廢片回收的方法，包括：

第一步驟（S10）：將GaN外延廢片浸泡到腐蝕溶液中以腐蝕所述GaN外延廢片表面；

第二步驟（S20）：利用清洗液來清洗所述第一步驟中經過腐蝕的GaN外延廢片；

在所述第一步驟之前，通過研磨處理和/或高溫處理對所述GaN外延廢片表面進行粗化處理；所述研磨處理為通過砂紙或砂輪對GaN外延廢片表面進行打磨；所述高溫處理為把GaN外延廢片在烤盤爐加熱，加熱溫度大于1000℃，加熱時間為0.5-10小時；其中，在所述第二步驟（S20）中，利用清洗液來清洗所述第一步驟中經過腐蝕的GaN外延廢片包括：

步驟（S100）：使用硫酸和雙氧水混合溶液對GaN外延廢片表面進行清洗并吹干；

步驟（S200）：使用稀鹽酸對完成所述步驟S100的GaN外延廢片表面進行清洗并吹干；

步驟（S300）：使用純水對完成所述步驟S200的GaN外延廢片表面進行清洗并吹干。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述腐蝕溶液為強酸或強堿溶液。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，在所述第一步驟中，控制所述GaN外延廢片在所述腐蝕溶液中的浸泡時間，以控制對所述GaN外延片的腐蝕深度。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述第一步驟中，所述強酸溶液或所述強堿溶液的濃度大于10%，所述酸溶液或堿溶液的溫度大于50℃。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述強酸溶液為鹽酸溶液，所述強堿溶液為NaOH溶液，所述NaOH溶液的濃度為50%以上，溫度為80℃以上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述步驟（S200）中，所述稀鹽酸的濃度為5-15%；所述純水為去離子純水。