[發明專利]具有吸氣劑的多晶III族金屬氮化物及其制造方法

在審

• 申請號: 201510178981.3
• 申請日: 2009-12-11
• 公開（公告）號: CN104846439A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 馬克·P·德伊夫林
• 申請（專利權）人: SORAA有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B9/00;C30B28/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;冷永華

1.一種含鎵晶體，包括：

結晶襯底構件，其長度大于約5毫米；

基本纖鋅礦結構，其特征在于基本不含其它晶體結構，所述其它結構相對于所述基本纖鋅礦結構的體積為小于約1體積％；

選自Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、F和Cl中至少一種的雜質濃度大于約10¹⁵cm^-3；和

在約385納米至約750納米的波長的光吸收系數為約2cm^-1以下。

2.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述其它結構為小于約0.5體積％。

3.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述其它結構為小于約0.1體積％。

4.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件為n型半導體，其特征在于載流子濃度n為約10¹⁶cm^-3至10²⁰cm^-3，并且以平方厘米/伏秒為單位的載流子遷移率η為使得η的以10為底的對數大于約-0.018557(log₁₀n)³+1.0671(log₁₀n)²-20.599(log₁₀n)+135.49。

5.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件為p型半導體，特征在于載流子濃度n為約10¹⁶cm^-3至10²⁰cm^-3，并且以平方厘米/伏秒為單位的載流子遷移率η為使得η的以10為底的對數大于約-0.6546(log₁₀n)+12.809。

6.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件為半絕緣的，電阻率大于10⁷Ω-cm。

7.權利要求1所述的含鎵晶體，其特征在于Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一種的雜質濃度大于10¹⁵cm^-1，和Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、稀土金屬、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo或W中的至少一種的雜質濃度大于10¹⁴cm^-1。

8.權利要求1所述的含鎵晶體，其特征在于F和Cl中至少一種的雜質濃度大于10¹⁵cm^-1，和Sc、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta或W中至少一種的雜質濃度大于10¹⁴cm^-1。

9.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述其他晶體結構包括立方結構。

10.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件包含氮化鎵。

11.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件包含鎵物質和氮物質。

12.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述襯底構件具有大于約1毫米的厚度。

13.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述長度大于約20毫米。

14.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述長度大于約50毫米。

15.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述長度大于約100毫米。

16.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件的特征在于晶體學曲率半徑大于100米。

17.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件的特征在于晶體學曲率半徑大于1000米。

18.權利要求1所述的含鎵晶體，還包括Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、F和Cl中至少一種的雜質濃度大于約10¹⁶cm^-3。

19.權利要求1所述的含鎵晶體，其中所述結晶襯底構件具有1納米以下的均方根表面粗糙度。