[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201510173234.0
• 申請日: 2015-04-13
• 公開（公告）號: CN104979267A
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 山口直
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一絕緣膜，形成在所述半導體襯底的主表面之上，并且包含硅和氧；

第二絕緣膜，形成在所述第一絕緣膜之上；

第一開口部，穿通所述第二絕緣膜，并且到達所述第一絕緣膜；

第二開口部，穿通所述第一絕緣膜的從所述第一開口部暴露出來的部分，并且到達所述半導體襯底；

溝槽部，形成在所述半導體襯底的從所述第二開口部暴露出來的部分中；以及

第三絕緣膜，形成在所述溝槽部中、在所述第二開口部中、以及在所述第一開口部中，

其中所述第二絕緣膜的材料與所述第一絕緣膜的材料不同，

其中所述第一開口部的第一開口寬度以及所述第二開口部的第二開口寬度中的每一個均大于所述溝槽部的溝槽寬度，以及

所述溝槽部由所述第三絕緣膜封閉，同時在所述溝槽部中留出空間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二開口部的所述第二開口寬度等于所述第一開口部的所述第一開口寬度、或者大于所述第一開口部的所述第一開口寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：

第四絕緣膜，形成在所述第二絕緣膜之上，并且包含硅和氧；以及

第三開口部，穿通所述第四絕緣膜，并且到達所述第二絕緣膜，

其中所述第一開口部穿通所述第二絕緣膜的從所述第三開口部暴露出來的部分，并且到達所述第一絕緣膜，

其中所述第二絕緣膜的材料與所述第四絕緣膜的材料不同，

其中所述第三開口部的所述第三開口寬度等于所述第一開口部的所述第一開口寬度、或者大于所述第一開口部的所述第一開口寬度，以及

其中所述第三絕緣膜位于所述第三開口部中。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中所述溝槽部、所述第二開口部、所述第一開口部和所述第三開口部由所述第三絕緣膜封閉，同時在所述溝槽部中、在所述第二開口部中、在所述第一開口部中、以及在所述第三開口部中，留出所述空間，以及

其中所述空間的上端的高度位置低于所述第四絕緣膜的上表面的高度位置。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述溝槽部和所述第二開口部由所述第三絕緣膜封閉，同時在所述溝槽部中、以及在所述第二開口部中，留出所述空間，以及

其中所述空間的上端的高度位置低于所述第二絕緣膜的下表面的高度位置。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二絕緣膜包含硅和氮。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中所述第一絕緣膜具有氧化硅膜，并且所述第二絕緣膜具有氮化硅膜或者氮氧化硅膜。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由含氫氟酸的蝕刻劑對所述第二絕緣膜的蝕刻速率小于由所述蝕刻劑對所述第一絕緣膜的蝕刻速率。

9.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中所述第一絕緣膜形成在所述半導體襯底的所述主表面之上、在所述半導體襯底的所述主表面的第一區域中，以及

其中所述半導體器件進一步包括：

半導體元件，形成在所述半導體襯底的所述主表面之上、在所述半導體襯底的所述主表面的第二區域中，并且包括導體部；

第五絕緣膜，形成在與所述第二絕緣膜所在層相同的層中，形成為在所述第二區域中覆蓋所述半導體元件；

第六絕緣膜，形成在所述第五絕緣膜之上、與所述第四絕緣膜相同層，并且含有硅和氧；

孔部，穿通所述第六絕緣膜和所述第五絕緣膜，并且到達所述半導體元件的所述導體部；以及

耦合電極，形成為用于填充所述孔部并且電耦合至所述導體部。