[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510168772.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-04-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105097790B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫英男;劉建宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L23/498;H01L21/50;B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣桃園市中*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 封裝 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明揭露一種晶片封裝體及其制造方法,該晶片封裝體包括:一第一裝置基底,貼附于一第二裝置基底的一第一表面上;一第三裝置基底,貼附于第二裝置基底相對(duì)于第一表面的一第二表面上;一絕緣層,覆蓋第一裝置基底、第二裝置基底及第三裝置基底,其中絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口;至少一凸塊,設(shè)置于開(kāi)口的底部下方;以及一重布線層,設(shè)置于絕緣層上,且經(jīng)由開(kāi)口電性連接至凸塊。本發(fā)明可將多個(gè)不同尺寸的裝置基底/晶片彼此垂直堆疊而將其整合于同一晶片封裝體內(nèi),使得單一晶片封裝體具有多種集成電路功能,因此可縮小后續(xù)接合的電路板的尺寸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝技術(shù),特別為有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)
晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中,使其免受外界環(huán)境污染外,還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
晶片封裝體通常與其他集成電路晶片各自獨(dú)立地設(shè)置于電路板上,再通過(guò)打線彼此電性連接。
然而,上述制造方法限制了電路板的尺寸,進(jìn)而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的尺寸難以進(jìn)一步縮小。
因此,有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法,其能夠解決或改善上述的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體,包括:一第一裝置基底,貼附于一第二裝置基底的一第一表面上;一第三裝置基底,貼附于第二裝置基底相對(duì)于第一表面的一第二表面上;一絕緣層,覆蓋第一裝置基底、第二裝置基底及第三裝置基底,其中絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口;至少一凸塊,設(shè)置于開(kāi)口的底部下方;以及一重布線層,設(shè)置于絕緣層上,且經(jīng)由開(kāi)口電性連接至凸塊。
本發(fā)明提供一種晶片封裝體的制造方法,包括:將一第一裝置基底貼附于一第二裝置基底的一第一表面上;將一第三裝置基底貼附于第二裝置基底相對(duì)于第一表面的一第二表面上;形成至少一凸塊及一絕緣層,其中絕緣層覆蓋第一裝置基底、第二裝置基底及第三裝置基底,且具有至少一開(kāi)口,使凸塊形成于開(kāi)口的底部下方;以及在絕緣層上形成一重布線層,重布線層經(jīng)由開(kāi)口電性連接至凸塊。
本發(fā)明可將多個(gè)不同尺寸的裝置基底/晶片彼此垂直堆疊而將其整合于同一晶片封裝體內(nèi),使得單一晶片封裝體具有多種集成電路功能,因此可縮小后續(xù)接合的電路板的尺寸。
附圖說(shuō)明
圖1A至1E是繪示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。
圖2及3是繪示出根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的晶片封裝體的剖面示意圖。
其中,附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:
100:第一裝置基底;110、210、310:元件區(qū);120:晶片區(qū);130:第一接合墊;140:第一導(dǎo)電墊;150、160、250、260、360:內(nèi)連線結(jié)構(gòu);200:第二裝置基底;200a:第一表面;200b:第二表面;230:第二接合墊;240:第二導(dǎo)電墊;300:第三裝置基底;340:第三導(dǎo)電墊;370:第一凸塊;380:導(dǎo)電結(jié)構(gòu);400:絕緣層;420:開(kāi)口;440:重布線層;460:鈍化保護(hù)層;480:開(kāi)口;500:第二凸塊。
具體實(shí)施方式
以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是,本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念,其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式,非用以限制本發(fā)明的范圍。此外,在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明,不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者,當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí),包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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