[發明專利]一種獨石結構全陶瓷型高梯度絕緣子及其制備方法無效
| 申請號： | 201510159624.2 | 申請日： | 2015-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN104761244A | 公開（公告）日： | 2015-07-08 |
| 發明（設計）人： | 張華力;黃曉軍;雷楊俊;向偉 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | C04B35/10 | 分類號： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人： | 翟長明;韓志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 結構 陶瓷 梯度 絕緣子 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種獨石結構全陶瓷型高梯度絕緣子，其特征在于：所述的絕緣子以金屬陶瓷材料為導電層，以氧化鋁材料為絕緣層，絕緣層與導電層交替排列，絕緣層厚度為30~300微米，導電層厚度為5~100微米。
2.根據權利要求1所述的一種獨石結構全陶瓷型高梯度絕緣子,?其特征在于：所述的高梯度絕緣子的金屬陶瓷導電層材料為鉬-氧化鋁金屬陶瓷、氮化鈦-氧化鋁金屬陶瓷，其中鉬和氮化鈦的體積比例為15%~30%；
氧化鋁絕緣層材料為高純度氧化鋁或含重量比1%~10%玻璃相燒結助劑氧化鋁材料。
3.根據權利要求1所述的一種獨石結構全陶瓷型高梯度絕緣子的制備方法,?其特征在于：所述的制備方法由以下步驟組成：
(a)?通過流延技術制備氧化鋁材料流延片;
(b)?將適量鉬粉或氮化鈦粉與氧化鋁材料粉體與溶劑二乙二醇單丁基醚醋酸酯和分散劑海名斯(Nuosperse?)?657混合并球磨制備金屬陶瓷漿料；
(c)?在氧化鋁材料流延片上絲網印刷鉬-氧化鋁金屬陶瓷或氮化鈦-氧化鋁金屬陶瓷漿料層并烘干使溶劑揮發；
(d)?將印有和未印有金屬陶瓷層氧化鋁流延片按適當層數交替排列，進行疊層壓制；
(e)?氧化鋁流延片疊層排除有機物后燒結得到獨石結構高梯度絕緣子。
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