[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510159095.6
• 申請日: 2015-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN104716201A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒志翔;操彬彬;黃寅虎
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 任嘉文

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

在顯示器件的生產(chǎn)中，薄膜晶體管(Thin-film?Transistor，TFT)起到具有十分重要的作用，主要利用薄膜晶體管的開態(tài)對顯示器件的像素電容快速充電，利用薄膜晶體管的關(guān)態(tài)來保持像素電容的電壓，從而實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和良好存儲(chǔ)的統(tǒng)一。薄膜晶體管由于具有非常高的開態(tài)電流(Ion)和關(guān)態(tài)電流(Ioff)之比和陡峭的轉(zhuǎn)移特性，因而作為非線性開關(guān)元件被廣泛地應(yīng)用于大面積液晶顯示器以及接觸型圖像傳感器等領(lǐng)域。

目前常規(guī)底柵反堆棧型非晶硅薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括：襯底基板01，以及設(shè)置在襯底基板01上的柵極02、設(shè)置在柵極02上且與柵極02絕緣的有源層03、相對而置且分別與有源層03電性連接的源極04和漏極05，當(dāng)通過安裝在襯底基板01中的電路將電流施加到柵極02時(shí)，加載到源極04的電流通過有源層03傳輸?shù)铰O05，驅(qū)動(dòng)顯示器件的像素單元，從而顯示圖像。柵極02與有源層03之間設(shè)置有柵絕緣層06，在源極04和漏極05之上設(shè)置有鈍化層07，其中，柵絕緣層06通常采用a-SiNx薄膜，有源層03通常采用a-Si:H薄膜，鈍化層07通常采用a-SiNx薄膜，柵極02、源極04和漏極05通常采用金屬材料，例如銅(Cu)。為了改善源極04、漏極05與a-Si:H薄膜的接觸特性，在其間插入了薄的n+型a-Si:H薄膜作為歐姆接觸層08。

如今高分辨率及高畫質(zhì)的平板顯示裝置普遍受人們青睞。圖像信號(hào)的延遲成為制約高分辨率及高畫質(zhì)平板顯示裝置的關(guān)鍵因素之一。然而，圖像信號(hào)的延遲主要由陣列基板上的柵極和柵極線決定的信號(hào)電阻和相關(guān)電容決定。目前采用電阻較低的金屬Cu制作柵極和柵極線，從而實(shí)現(xiàn)降低柵極和柵極線的電阻。但是，在柵絕緣層高溫沉積的制作環(huán)境中，銅導(dǎo)線極其容易形成鼓包，造成銅導(dǎo)線的電阻存在差異。從而，在柵極掃描線打開時(shí)，像素充電，由于柵極掃描線的電阻存在差異，某些像素充電不充分，導(dǎo)致圖像顯示畫面的亮度不均勻，嚴(yán)重影響圖像的顯示質(zhì)量。此外，由于柵絕緣層存在膜層脫落的特性，一般采用較長的預(yù)熱(pre?heat)時(shí)間并通過氮?dú)獾入x子化(N2Plasma)處理改善柵絕緣層的這一特性。然而，較長時(shí)間的預(yù)熱以及氮?dú)獾入x子化處理均將加重銅導(dǎo)線鼓包的問題。

其中，N2Plasma處理具體指在柵絕緣層(GI)沉積之前，采用預(yù)設(shè)功率(power)激發(fā)氮?dú)?N2)形成等離子體轟擊Cu和基板表面，改善GI沉積表面特性，N2plasma處理是一種通過等離子體處理膜面的工藝手段。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)在生產(chǎn)薄膜晶體管的過程中，容易出現(xiàn)柵極線鼓包的問題，使得柵極線的電阻不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致顯示器顯示不均勻，顯示器的顯示品質(zhì)差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示設(shè)備，用以減緩甚至避免薄膜晶體管的制作過程出現(xiàn)的柵極線鼓包的問題，使得柵極線的電阻均勻，進(jìn)而使得顯示器顯示均勻，提高顯示器的顯示品質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法包括：

在襯底基板上形成柵極線；

對形成有柵極線的襯底基板進(jìn)行用于減緩柵極線鼓包的處理，并在處理后的襯底基板上形成柵絕緣層。

通過該方法，對形成有柵極線的襯底基板進(jìn)行用于減緩柵極線鼓包的處理，并在處理后的襯底基板上形成柵絕緣層，減緩甚至避免薄膜晶體管的制作過程出現(xiàn)的柵極線鼓包的問題，使得柵極線的電阻均勻，進(jìn)而使得顯示器顯示均勻，提高顯示器的顯示品質(zhì)。

較佳地，該方法還包括：

在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上，分別形成有源層、源極、漏極、鈍化層、公共電極以及像素電極。

較佳地，對形成有柵極線的襯底基板進(jìn)行用于減緩柵極線鼓包的處理，并在處理后的襯底基板上形成柵絕緣層，具體包括：

在形成有柵極線的襯底基板上直接形成柵絕緣層；或者，

利用預(yù)設(shè)的等離子處理功率對所述柵極線進(jìn)行等離子處理，并在等離子處理處理后的形成有柵極線的襯底基板上形成柵絕緣層，其中，所述預(yù)設(shè)的等離子處理功率小于8千瓦；或者，

按照預(yù)設(shè)的預(yù)熱時(shí)間，對形成有柵極線的襯底基板進(jìn)行預(yù)熱處理，并在預(yù)熱處理后的形成有柵極線的襯底基板上形成柵絕緣層，其中，所述預(yù)設(shè)的預(yù)熱時(shí)間小于60秒；或者，