[發明專利]太赫茲調制器、太赫茲調制器的制備方法和調諧方法

有效

• 申請號: 201510149501.0
• 申請日: 2015-03-31
• 公開（公告）號: CN104678598B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 張會;徐先鋒
• 申請（專利權）人: 中國石油大學（華東）
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太赫茲調制器，其特征在于，包括：

銅諧振環陣列(1)、二氧化釩薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、寬帶太赫茲源(4)和泵浦激光源(5)，其中，所述銅諧振環陣列(1)和所述二氧化硅基底(3)形成超材料，所述二氧化釩薄膜(2)鍍在所述二氧化硅基底(3)的后表面。

2.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述銅諧振環陣列(1)中的銅諧振環在垂直于所述二氧化硅基底(3)的方向上的高度為200nm。

3.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述銅諧振環陣列(1)中的銅諧振環為雙環結構，其中，內環為直徑28μm，厚度6μm的正方形銅環，外環為直徑40μm，厚度為6μm的正方形銅環。

4.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述二氧化釩薄膜(2)的厚度為200nm，在介質相時的電導率不大于0.1(Ω·cm)^-1，在金屬相時的電導率大于2000(Ω·cm)^-1。

5.根據權利要求1所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述泵浦激光源(5)為飛秒或皮秒脈寬的超短脈沖激光器，所述泵浦激光源(5)的泵浦光輻照到所述超材料上的光斑直徑大于0.5mm，泵浦光能量密度不小于10mJ/cm²。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的太赫茲調制器，其特征在于，所述泵浦激光源(5)用于根據泵浦光輻照強度的大小對所述寬帶太赫茲源(4)的太赫茲波進行調制。

7.一種根據權利要求1所述的太赫茲調制器的制備方法，其特征在于，包括：

在二氧化硅基底(3)上采用光刻的方法得到銅諧振環陣列(1)；

在所述二氧化硅基底(3)的后表面鍍二氧化釩薄膜(2)。

8.根據權利7所述的方法，其特征在于，所述在二氧化硅基底(3)的后表面鍍二氧化釩薄膜(2)，包括：

采用磁控濺射方法在所述二氧化硅基底(3)的后表面鍍一層金屬釩，再使用氧化法使所述金屬釩轉化為所述二氧化釩薄膜(2)。

9.一種根據權利1所述的太赫茲調制器的調諧方法，其特征在于，包括：

將泵浦激光源(5)的泵浦光輻照強度調節為零，使二氧化釩薄膜(2)為介質相，以使寬帶太赫茲源(4)的諧振頻率的太赫茲波透過超材料；

增大所述泵浦激光源(5)的泵浦光輻照強度，使所述二氧化釩薄膜(2)轉化為金屬相，以使所述寬帶太赫茲源(4)的太赫茲波不能透過所述超材料，實現對所述寬帶太赫茲源(4)的太赫茲波從導光到損耗的強度調制。