[發明專利]一種生長單相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法有效
| 申請號： | 201510147291.1 | 申請日： | 2015-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN104831241B | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發明（設計）人： | 何云斌;黎明鍇;丁雅麗;張蕾;尚勛忠;常鋼;李派 | 申請（專利權）人： | 湖北大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司11335 | 代理人： | 吳甘棠 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生長 單相 外延 znos 三元 合金 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種生長單相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟1，采用ZnS作為濺射靶材，采用m面藍寶石作為襯底；
步驟2，清洗靶材和襯底，將所述靶材和所述襯底分別固定在靶臺和樣品臺上裝入真空室，調整所述樣品臺和所述靶臺的間距，并開啟真空泵抽真空至真空度為5×10-4Pa；
步驟3，開啟襯底加熱器將襯底升溫，調節生長溫度為400-700℃；
步驟4，通入氧氣，調整氧壓為0.02-5Pa；
步驟5，開啟激光器，設定激光器的激光脈沖頻率為5Hz，設定激光脈沖能量為350mJ/pulse；
步驟6，啟動所述靶臺和所述樣品臺的自轉，開啟所述激光器，激光濺射靶材2-3分鐘，旋開樣品臺的擋板，開始沉積薄膜，沉積完成后關閉所述激光器，關閉所述氧氣閥和所述襯底加熱器，讓沉積的薄膜自然冷卻至室溫后再取出真空室。
2.根據權利要求1的一種生長單相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，ZnS陶瓷靶材的純度為99.99％。
3.根據權利要求1的一種生長單相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，步驟1中是將靶材和襯底經過丙酮、無水乙醇和去離子水中的一種或多種超聲波清洗，并用氮氣吹干。
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