[發明專利]高出光率的LED芯片結構在審
| 申請號： | 201510147201.9 | 申請日： | 2015-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN104851950A | 公開（公告）日： | 2015-08-19 |
| 發明（設計）人： | 沈志強;許智程;李莎莎 | 申請（專利權）人： | 山西南燁立碁光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 胡新瑞 |
| 地址： | 046000 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高出光率 led 芯片 結構 | ||
【權利要求書】：
1.高出光率的LED芯片結構，其特征在于：包括發光本體（1），所述發光本體（1）的上端設置有N電極（2），所述發光本體（1）的下端設置有P電極（3），所述發光本體（1）和N電極（2）之間設置有P型金屬（4）。
2.根據權利要求1所述的高出光率的LED芯片結構，其特征在于：所述P型金屬（4）蒸鍍在N電極（2）的下端面上。
3.根據權利要求1所述的高出光率的LED芯片結構，其特征在于：兩個所述的P電極（3）對稱設置在發光本體（1）的下部兩端。
4.根據權利要求1所述的高出光率的LED芯片結構，其特征在于：所述N電極（2）呈凸形，所述P型金屬（4）位于N電極（2）凸形的正下方，所述P型金屬（4）的寬度小于N電極（2）凸形的下部寬度。
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