[發明專利]有機發光二極管有效
| 申請號: | 201510145747.0 | 申請日: | 2015-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN104953037B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 劉璇根;朱性壎;金重根;金度漢;徐正大;金孝錫;姜慧承;樸正洙;尹珉 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 龐東成,李棟修 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 | ||
技術領域
此文件涉及有機發光二極管,更具體而言,涉及由于具有能夠注入更多電子的n型電荷生成層(n-CGL)或電子輸送層而可降低驅動電壓并提高壽命的有機發光二極管。
背景技術
近年來,隨著對于平板顯示器的需求增長,有機發光二極管設備(OLED設備)引起注意。OLED是一種使用有機材料將電能轉化為光能的設備,并且其包含設置在陽極和陰極之間能夠發光的有機材料層。OLED可形成各種結構。在那些OLED中,對于堆疊有多個發射層的串聯有機發光二極管的研究在進行中。
串聯有機發光二極管由多個發光部件形成,其每個具有空穴注入層、空穴輸送層、發射層、電子輸送層和堆疊在陽極和陰極之間的電子注入層。n型電荷生成層和p型電荷生成層形成在串聯有機發光二極管的各個發光部件之間。電荷在n型電荷生成層和p型電荷生成層之間生成,電子流動至鄰近n型電荷生成層的電子注入層,而空穴被輸送至鄰近n型電荷生成層的空穴注入層。在此情況中,設備效率取決于p型電荷生成層和n型電荷生成層之間的界面特性和能級差,以及n型電荷生成層和摻雜的堿金屬之間的界面特性和能級差。
隨著n型電荷生成層和p型電荷生成層之間的能級差變大,在鄰近p型電荷生成層的空穴注入層的界面處生成更多電荷,使得電子難以注入n型電荷生成層。
此外,在n型電荷生成層摻雜有堿金屬的情況中,堿金屬擴散到p型電荷生成層中,造成漏泄電流。漏泄電流降低設備的壽命。
相關技術文獻
1.用于有機光電設備的化合物,包含所述化合物的有機發光二極管,以及包含所述有機發光二極管的顯示器(韓國特開專利2013-0079237號)。
發明內容
本發明的目的是提供一種有機發光二極管,其包括在陽極和陰極之間的至少一個發光部件,并且包括至少一個有機層和發射層,所述至少一個有機層由具有一個或多個雜原子的化合物組成,并且所述化合物具有因所述雜原子的能級和因所述能級的導電特性。
附圖說明
附圖被包括在本說明書中以提供對本發明的進一步理解,并結合到本說明書中且構成本說明書的一部分,附圖示出了本發明的實施方式,且與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中:
圖1是本發明的示例性實施方式的有機發光二極管的截面圖;
圖2是本發明的另一個示例性實施方式的串聯有機發光二極管的截面圖;
圖3是本發明的又一個示例性實施方式的串聯有機發光二極管的截面圖;
圖4是用于解釋本發明各示例性實施方式的有機發光二極管的驅動電壓降低的圖表;
圖5是用于解釋本發明各示例性實施方式的有機發光二極管的壽命增加的圖表;和
圖6A~6C是用于解釋本發明各示例性實施方式的有機發光二極管的玻璃化轉變溫度和熔化溫度的圖表。
具體實施方式
通過參考實施方式和附圖的以下詳述可更容易理解本發明和實行本發明的方法的優點和特征。然而,本發明可以不同形式實施并且不應被理解為限于本文中提及的實施方式。相較而言,提供這些實施方式使得本公開將徹底和完整,并且將本發明的范圍充分傳達給本領域技術人員,本發明僅由權利要求的范圍限定。整個說明書中相似的附圖標記指代相似的元件。
將理解當元件或層被稱為在另一個元件或層“之上”時,所述元件或層可直接在另一個元件或層上,或者在介于中間的元件或層上。
將理解,盡管可在本文中使用“第一”、“第二”等術語來描述各種元件,這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件與其他元件區分。因此,下文討論的第一元件可被稱作第二元件,而不偏離本發明的技術精神。
整個說明書中相似的附圖標記指代相似的元件。
附圖中所示組件的尺寸和厚度出于解釋的方便而示出,但本發明并非必需限于此。
如本領域技術人員將充分理解的,本發明各示例性實施方式的特征可彼此部分或全部組合,并可以技術上相互作用或以各種方式共同運作。示例性實施方式可單獨或彼此組合執行。
除非單獨定義,本文所用的術語“取代”是指取代基或化合物中的至少一個氫原子被氘、鹵素基團、羥基、氨基、取代或未取代的C1~C30胺基、硝基、取代或未取代的C3~C40甲硅烷基、C1~C30烷基、C1~C10烷基甲硅烷基、C3~C30環烷基、C6~C30芳基或C1~C30烷氧基置換。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





