[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510132002.0
• 申請日: 2015-03-24
• 公開（公告）號: CN104681631B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 石磊;孫亮;許曉偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/41;H01L21/28
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張京波;曲鵬

1.一種薄膜晶體管，包括：形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，其特征在于，還包括：與所述漏極連接的輔助柵極，

所述有源層位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述有源層之上，所述柵極位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于有源層上方，且與柵極間隔有絕緣間隔層；所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，所述源極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔連接所述有源層，所述漏極通過穿過所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第二過孔連接所述有源層，所述漏極通過所述第二過孔與所述輔助柵極連接。

2.一種薄膜晶體管，包括：形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和柵絕緣層，其特征在于，還包括：與所述漏極連接的輔助柵極，

所述柵極位于所述襯底基板之上，所述柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于所述有源層之上，所述輔助柵極與所述柵極位于同一層，通過穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔連接所述漏極。

3.一種薄膜晶體管，包括：形成在襯底基板上的柵極、源極、漏極、有源層和第一柵絕緣層，其特征在于，還包括：第二柵絕緣層及與所述漏極連接的輔助柵極，所述有源層位于所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層之間，所述輔助柵極與所述有源層之間間隔所述第二柵絕緣層；

所述柵極位于所述襯底基板之上，所述第一柵絕緣層位于所述柵極之上，所述有源層位于所述第一柵絕緣層之上，所述源極和漏極位于所述有源層之上，第二柵極絕緣層覆蓋所述源極和漏極，第二柵極絕緣層具有穿過該第二柵極絕緣層且暴露出所述漏極的過孔，所述輔助柵極位于所述第二柵絕緣層之上，所述輔助柵極通過所述穿過第二柵絕緣層且暴露出所述漏極的過孔連接所述漏極。

4.如權利要求1～3中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層為具有輕摻雜結構的有源層。

5.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成包括有源層、柵絕緣層、柵極和輔助柵極的圖形，所述輔助柵極與所述柵極位于同一層；

形成絕緣間隔層，并形成貫穿所述絕緣間隔層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，通過所述第一過孔和第二過孔暴露出有源層，且通過所述第二過孔暴露出所述輔助柵極；

形成源極和漏極的圖形，且使所述源極通過所述第一過孔連接所述有源層，使所述漏極通過第二過孔連接有源層和輔助柵極。

6.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成包括柵極、輔助柵極、柵絕緣層和有源層的圖形；

形成穿過所述柵絕緣層和有源層的過孔，使暴露出所述輔助柵極；

在有源層之上形成源極和漏極的圖形，所述漏極通過所述過孔連接所述輔助柵極。

7.一種薄膜晶體管制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成包括柵極、第一柵絕緣層和有源層的圖形；

在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極通過過孔連接所述漏極；

所述在有源層上方形成包括源極、漏極、第二柵絕緣層和輔助柵極的圖形，使所述有源層和輔助柵極之間間隔所述第二柵絕緣層，所述輔助柵極通過過孔連接所述漏極的步驟具體包括：

在有源層之上形成源極和漏極的圖形；

形成第二柵絕緣層及其上過孔的圖形，所述過孔使漏極暴露出來；

形成輔助柵極的圖形，所述輔助柵極通過過孔連接所述漏極。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1～4中任一項所述的薄膜晶體管。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8所述的陣列基板。