[發(fā)明專利]電感器、線圈基板以及線圈基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510119783.X | 申請日: | 2015-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN104934298B | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中村敦;中西元;松本隆幸 | 申請(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01F41/04 |
| 代理公司: | 上海和躍知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 芮玉珠 |
| 地址: | 日本長野縣*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電感器 線圈 以及 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的電感器以及線圈基板。電感器具有線圈基板,該線圈基板包括:層積體,其具有基板、被層積在基板的下表面上的結(jié)構(gòu)體、和被層積在基板的上表面上的多個結(jié)構(gòu)體;以及絕緣膜,其覆蓋層積體的表面,所述層積體的表面包括沿厚度方向貫穿層積體的貫穿孔的內(nèi)壁面。結(jié)構(gòu)體具有絕緣層,其被層積在基板的下表面上;以及布線,其被層積在絕緣層的下表面上。結(jié)構(gòu)體具有:絕緣層;以及布線,其分別被層積在絕緣層的下表面上,并且側(cè)面的一部分被絕緣層覆蓋。在線圈基板中,通過在上下相鄰的布線彼此串聯(lián)連接,而形成連接螺旋狀的線圈?;宓暮穸群裼诮^緣層的厚度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電感器、線圈基板以及線圈基板的制造方法。
背景技術(shù)
近年來,游戲機或移動電話等電子設(shè)備的小型化正在逐漸加速,隨著這樣的小型化,在這樣的電子設(shè)備上搭載的電感器等各種元件小型化的要求也更高。作為在這樣的電子設(shè)備上搭載的電感器,例如已知有采用了繞線線圈的電感器。采用繞線線圈的電感器被用于例如電子設(shè)備的電源電路等(例如參照日本特開2003-168610號公報)。
采用繞線線圈的電感器的小型化的極限被認為是1.6mm×1.6mm左右的平面形狀。這是因為繞線粗度存在極限。如果電感器小于此尺寸,繞線的體積與電感器的總面積之比會降低,從而不能提高電感器的電感。因此,期待一種能易于實現(xiàn)小型化的電感器的開發(fā)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的電感器、線圈基板以及線圈基板的制造方法。
本發(fā)明的一個方式為電感器。電感器包括層積體。所述層積體包括基板、被層積在所述基板的下表面上的第1結(jié)構(gòu)體、以及被依次層積在所述基板的上表面的多個第2結(jié)構(gòu)體。所述電感器進一步包括:貫穿孔,其沿厚度方向貫穿所述層積體;以及絕緣膜,其覆蓋所述層積體。所述第1結(jié)構(gòu)體包括被層積在所述基板的下表面上的第1絕緣層、和被層積在所述第1絕緣層的下表面上的第1布線。所述第1布線位于所述層積體的最下層。所述多個第2結(jié)構(gòu)體分別包括多個第2絕緣層和多個第2布線。所述多個第2絕緣層中的一個絕緣層位于所述層積體的最上層。所述多個第2絕緣層分別被層積在所述多個第2布線中的相對應(yīng)的一個布線的上表面。所述基板的內(nèi)側(cè)面、所述第1結(jié)構(gòu)體的內(nèi)側(cè)面以及所述多個第2結(jié)構(gòu)體的內(nèi)側(cè)面形成所述貫穿孔的內(nèi)壁面。所述第1布線包括第1連接部。位于所述多個第2結(jié)構(gòu)體中最上層的第2結(jié)構(gòu)體上的所述第2布線包括第2連接部。所述絕緣膜將所述層積體覆蓋,但所述層積體的所述第1連接部以及所述第2連接部露出的面除外。由所述第1布線和所述多個第2布線串聯(lián)連接而形成螺旋狀線圈。所述基板的厚度厚于所述第1絕緣層的厚度、且厚于每個所述第2絕緣層的厚度。
本發(fā)明的另一個方式為線圈基板。線圈基板包括區(qū)塊(block),所述區(qū)塊包括被形成在多個區(qū)域的多個單位線圈基板。所述多個單位線圈基板分別包括層積體。所述層積體包括基板、被層積在所述基板的下表面上的第1結(jié)構(gòu)體、以及被次層積在所述基板的上表面上的多個第2結(jié)構(gòu)體。所述多個單位線圈基板進一步包括:貫穿孔,其沿厚度方向貫穿所述層積體;以及絕緣膜,其覆蓋所述層積體。所述第1結(jié)構(gòu)體包括被層積在所述基板的下表面上的第1絕緣層、以及被層積在所述第1絕緣層的下表面上的第1布線。所述第1布線位于所述層積體的最下層。所述多個第2結(jié)構(gòu)體分別包括多個第2絕緣層和多個第2布線。所述多個第2絕緣層中的一個絕緣層位于所述層積體的最上層。所述多個第2絕緣層分別被層積在所述多個第2布線中的相對應(yīng)的一個布線的上表面。所述基板的內(nèi)側(cè)面、所述第1結(jié)構(gòu)體的內(nèi)側(cè)面以及所述多個第2結(jié)構(gòu)體的內(nèi)側(cè)面形成所述貫穿孔的內(nèi)壁面。所述第1布線包括所述第1連接部。位于所述多個第2結(jié)構(gòu)體中最上層的第2結(jié)構(gòu)體上的第2布線包括第2連接部。所述絕緣膜將所述層積體覆蓋,但所述層積體的所述第1連接部以及所述第2連接部露出的面除外。由所述第1布線和所述多個第2布線串聯(lián)連接而形成螺旋狀線圈。所述基板的厚度厚于所述第1絕緣層的厚度、且厚于每個所述第2絕緣層的厚度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于新光電氣工業(yè)株式會社,未經(jīng)新光電氣工業(yè)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510119783.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





