[發(fā)明專利]一種紅外非線性光學(xué)晶體硫錫鋰鋇有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510098648.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104630893B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程文旦;羅中箴;譚德明;林晨升;張煒龍;張浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/46 | 分類號(hào): | C30B29/46;C30B1/10;C30B28/02;G02F1/355 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅外 非線性 光學(xué) 晶體 硫錫鋰鋇 | ||
1.一種硫錫鋰鋇化合物,其特征在于,其化學(xué)式為Ba24Li10.68Sn17.32S64。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫錫鋰鋇化合物,所述化合物為硫錫鋰鋇單晶體,單胞參數(shù)為
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫錫鋰鋇化合物,其中,所述硫錫鋰鋇單晶體具有如下參數(shù):α=β=γ=90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硫錫鋰鋇化合物,其中,所述硫錫鋰鋇單晶體具有如下參數(shù):Z=1,屬于立方晶系,空間群為I-43d;分子量為7478.58。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫錫鋰鋇化合物,其中,所述硫錫鋰鋇化合物為硫錫鋰鋇多晶粉末。
6.權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的硫錫鋰鋇化合物的制備方法,包括:將BaS、Li2S、Sn與S混合,置于真空密閉容器中,在800-900℃下恒溫處理,得到單晶;優(yōu)選的,Ba:Li:Sn:S元素摩爾比為24:10.68:17.32:64;優(yōu)選的,將BaS、Li2S、Sn與S混合后,放入石墨坩堝,再裝入石英管中,對(duì)石英管抽真空后封口,放于高溫爐中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其中,所述恒溫處理在800℃下,進(jìn)一步優(yōu)選的,用五十小時(shí)使溫度達(dá)到800℃,并且在800℃恒溫四十八小時(shí),然后以一定速率降至室溫。
8.權(quán)利要求5所述的硫錫鋰鋇化合物的制備方法,將BaS、Li2S、Sn與S混合,置于真空密閉容器中,在600-700℃之間恒溫處理,得到多晶粉末;優(yōu)選的,Ba:Li:Sn:S元素摩爾比為24:10.68:17.32:64;優(yōu)選的,將BaS、Li2S、Sn與S混合,首先放入石墨坩堝,再裝入石英管中,對(duì)石英管抽真空后封口,置于高溫爐中。
9.權(quán)利要求8所述的硫錫鋰鋇化合物的制備方法,恒溫處理700℃下;優(yōu)選的,用二十小時(shí)升溫到700℃,并且在700℃恒溫五十小時(shí),然后以一定速率降至室溫;進(jìn)一步優(yōu)選的,以一定速率降至室溫后,研磨多次,相同條件下進(jìn)行多次反應(yīng),得到多晶相粉末。
10.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的硫錫鋰鋇化合物的用途,其用于中遠(yuǎn)紅外波段激光倍頻、激光制導(dǎo)等領(lǐng)域,例如,制備紅外波段激光變頻晶體,紅外電-光裝置,紅外通訊器件,紅外激光制導(dǎo)器件等。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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