[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510097442.7
• 申請(qǐng)日: 2015-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN104729369A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊玉銀;陳長貴;王進(jìn)良;黃浩;劉志輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國水利水電第五工程局有限公司
• 主分類號(hào): F42D1/00
• 分類號(hào): F42D1/00;F42D1/08;F42D3/04
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 羅言剛

1.一種應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，包括在作業(yè)面上打孔和裝藥，及起爆過程，其特征在于：

所述打孔具體為：沿作業(yè)面的頂部邊界定義光爆層，光爆層由位于外側(cè)靠近頂部邊界的周邊光爆孔列和位于緊鄰周邊光爆孔列的外圈崩落孔列之間的巖體組成，所述周邊光爆孔列外側(cè)還具有處理欠挖短孔列，所述處理欠挖短孔列中的處理欠挖短孔與周邊光爆孔列中的周邊光爆孔交錯(cuò)分布；所述處理欠挖短孔的深度為周邊光爆孔深度的0.36～0.50倍；

作業(yè)面頂部下方還設(shè)置有掏槽孔列；

所述光爆層厚度為W=(1.0～1.15)*E，E為周邊光爆孔的平均孔距；

所述裝藥具體為：處理欠挖短孔和外圈崩落孔內(nèi)裝入炸藥和導(dǎo)爆索，所述周邊光爆孔的裝藥分為以下兩種情況A1-A2：

A1.針對(duì)軟巖光面，每一周邊光爆孔均裝入炸藥和導(dǎo)爆索；裝有炸藥和導(dǎo)爆索的裝藥量是外圈崩落孔裝藥量的0.2-0.4倍；

A2.針對(duì)極軟巖光面，周邊光爆孔列采用間隔裝藥，即每一周邊光爆孔均裝入導(dǎo)爆索，每間隔一個(gè)周邊光爆孔裝入炸藥；僅裝導(dǎo)爆索的裝藥量是外圈崩落孔裝藥量的0.05-0.2倍，裝有炸藥和導(dǎo)爆索的裝藥量是外圈崩落孔裝藥量的0.2-0.4倍；

所述周邊光爆孔、外圈崩落孔、處理欠挖短孔均垂直于作業(yè)面；周邊光爆孔與外圈崩落孔均按照軟巖光面爆破規(guī)則設(shè)計(jì)；

所述起爆過程中，周邊光爆孔列、處理欠挖短孔列同時(shí)起爆，外圈崩落孔列的起爆時(shí)間早于周邊光爆孔列，掏槽孔列的起爆時(shí)間早于外圈崩落孔列。

2.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述光爆層下方還設(shè)置有掏槽孔陣列，陣列中包括多個(gè)掏槽孔。

3.如權(quán)利要求2所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述作業(yè)面為開口向下的弧形，光爆層沿弧形邊界分布，所述掏槽孔陣列由由多組以弧形中軸線為對(duì)稱軸分布的掏槽孔列組成；還包括分布于掏槽孔列和光爆層之間的崩落孔列；

越靠近弧形中軸線的掏槽孔的鉆孔傾角越小，但均大于60度小于90度；崩落孔均垂直于作業(yè)面；

所述起爆過程中，掏槽孔列的起爆時(shí)間早于崩落孔列，越靠近弧形中軸線的掏槽孔起爆時(shí)間越早，所述崩落孔列的起爆時(shí)間早于外圈崩落孔列，但晚于掏槽孔列起爆時(shí)間。

4.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述周邊光爆孔的平均孔距E=（8～10）*d，d為周邊光爆孔直徑。

5.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述周邊光爆孔、外圈崩落孔、處理欠挖短孔裝藥完成后均不填塞。

6.如權(quán)利要求1或3所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，各個(gè)孔的起爆時(shí)間差異通過裝填不同段別的非電毫秒雷管實(shí)現(xiàn)。

7.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述處理欠挖短孔的裝藥量是外圈崩落孔的0.2-0.5倍。

8.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述處理欠挖短孔列與周邊光爆孔列間距為5-10厘米。

9.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述周邊光爆孔深度為1.5～2.2米。

10.如權(quán)利要求1所述應(yīng)用于軟巖和極軟巖的光面爆破方法，其特征在于，所述周邊光爆孔的平均孔距不大于外圈崩落孔的平均孔距，且均在35～45cm之間。