[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510096751.2 | 申請日： | 2015-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN105374866A | 公開（公告）日： | 2016-03-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田中文悟;末代知子;押野雄一 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域；
第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域上；
第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域上；
第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體區(qū)域，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域上；
第一柵極電極，隔著第一絕緣膜而設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo) 體區(qū)域、以及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域；
第一區(qū)域，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半 導(dǎo)體區(qū)域之間；以及
第二區(qū)域，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第一區(qū)域與所述第一柵極電極 之間，并且具有低于所述第一區(qū)域的第一導(dǎo)電型的載流子密度的第一導(dǎo)電型的載流 子密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：
第四區(qū)域，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第二區(qū)域與所述第四半導(dǎo)體區(qū) 域之間；以及
第三區(qū)域，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第三區(qū)域與所述第一柵極電極 之間；并且
第一界面與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離小于第二界面與所述第一半導(dǎo)體 區(qū)域之間的距離，所述第一界面是所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的界 面中位于所述第一區(qū)域與所述第四區(qū)域之間的界面，所述第二界面是所述第二半導(dǎo) 體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述界面中位于所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域之 間的界面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第四區(qū)域的第二導(dǎo)電型的載 流子密度高于所述第三區(qū)域的第二導(dǎo)電型的載流子密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第一電極，隔著第二絕緣 膜而設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第四半導(dǎo)體區(qū)域； 并且
所述第一區(qū)域設(shè)置在所述第二區(qū)域與所述第一電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第二柵極電極，隔著第二 絕緣膜而設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域、所述第三半導(dǎo)體區(qū)域、以及所述第四半導(dǎo)體 區(qū)域；以及
第五區(qū)域，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第一區(qū)域與所述第二柵極電極 之間，并且具有高于所述第一區(qū)域的第一導(dǎo)電型的載流子密度的第一導(dǎo)電型的載流 子密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：
第四區(qū)域，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第一區(qū)域與所述第四半導(dǎo)體區(qū) 域之間；以及
第三區(qū)域，設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域中的所述第四區(qū)域與所述第一柵極電極 之間；并且
第一界面與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離大于第二界面與所述第一半導(dǎo)體 區(qū)域之間的距離，所述第一界面是所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的界 面中位于所述第一區(qū)域與所述第四區(qū)域之間的界面，所述第二界面是所述第二半導(dǎo) 體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的所述界面中位于所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域之 間的界面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第六區(qū)域，設(shè)置在所述第 三半導(dǎo)體區(qū)域中、且在所述第四區(qū)域與所述第二柵極電極之間；并且
第三界面與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域之間的距離大于所述第一界面與所述第一半 導(dǎo)體區(qū)域之間的距離，所述第三界面是所述第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第三半導(dǎo)體區(qū)域 的界面中位于所述第五區(qū)域與所述第六區(qū)域之間的界面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第四區(qū)域的第二導(dǎo)電型的載 流子密度高于所述第三區(qū)域的第二導(dǎo)電型的載流子密度、以及所述第六區(qū)域的第二 導(dǎo)電型的載流子密度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第二區(qū)域的一部分在從所述 第一半導(dǎo)體區(qū)域朝向所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的第一方向上的位置，與所述第四區(qū)域的 一部分在所述第一方向上的位置相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體 區(qū)域，選擇性地設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體區(qū)域上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
