[發明專利]一種提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法

在審

• 申請號: 201510096582.2
• 申請日: 2015-03-04
• 公開（公告）號: CN104716024A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 張錫健;張炳磊;宋愛民
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，具體是指，在所述薄膜半導體晶體管表面覆蓋一層有機層或無機層。

2.根據權利要求1所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，所述有機層為聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亞胺、光刻膠、環氧樹脂、聚酯類、聚氨脂類或縮醛類。

3.根據權利要求1所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，所述無機層為SiO₂或高K材料。

4.根據權利要求3所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，所述高K材料包括Ta₂O₅、HfO₂、Y₂O₃、Si₃N₄、Al₂O₃、La₂O₃、TiO₂。

5.根據權利要求2所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法還包括：對覆蓋一層有機層的薄膜半導體晶體管進行烘干處理。

6.根據權利要求3所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半導體晶體管電學性能的方法還包括：對覆蓋一層無機層的薄膜半導體晶體管進行退火處理。