[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510096580.3
• 申請(qǐng)日: 2015-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN105374865A
• 公開（公告）日: 2016-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西川幸江;赤池康彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/739
• 分類號(hào): H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：

第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；

第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，選擇性地設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；

第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上；

第二導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，選擇性地設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上；

控制電極，從所述第三半導(dǎo)體層側(cè)到達(dá)所述第一半導(dǎo)體層中，隔著絕緣膜而與 所述第二半導(dǎo)體層及所述第三半導(dǎo)體層相鄰，且位于所述第二半導(dǎo)體層與所述第四 半導(dǎo)體層之間；及

半導(dǎo)體區(qū)域，隔著所述絕緣膜而與所述控制電極的底部相鄰，并設(shè)置于所述第 一半導(dǎo)體層中或所述第四半導(dǎo)體層中的至少任一者中，且包含至少一種電惰性的元 素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體區(qū)域包含碳、氮、氟 中的至少一種元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：第二導(dǎo)電型的第五半 導(dǎo)體層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層的與所述第二半導(dǎo)體層相反的一側(cè)，

所述第四半導(dǎo)體層與所述第五半導(dǎo)體層的距離短于所述控制電極與所述第五 半導(dǎo)體層的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括多個(gè)所述控制電極，

所述第二半導(dǎo)體層及所述第三半導(dǎo)體層設(shè)置在所述多個(gè)控制電極中的相鄰的 兩個(gè)控制電極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于還包括：

第一電極，覆蓋所述第三半導(dǎo)體層、所述第四半導(dǎo)體層及所述控制電極，且電 連接于所述第三半導(dǎo)體層；及

第二電極，電連接于所述第五半導(dǎo)體層；且

所述第四半導(dǎo)體層未電連接于所述第一電極、所述第二電極及所述控制電極中 的任一者。