[發明專利]陣列基板及其制作方法、X射線平板探測器、攝像系統有效
| 申請號： | 201510095303.0 | 申請日： | 2015-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN104637970B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 舒適;高錦成;徐傳祥;張鋒 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制作方法 射線 平板 探測器 攝像 系統 | ||
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
將陣列基板劃分為多個檢測單元；
在每個所述檢測單元內形成包括第一電極的圖形，形成所述第一電極的材料包括氧化銦錫；
形成包括能夠導電的反射層的圖形；
形成光電轉換結構；其中，所述反射層與所述第一電極形成為一體結構，所述反射層的朝向所述光電轉換結構的表面為反射面；
形成包括能夠導電的反射層的步驟包括：
向反應腔室通入氫氣，以使得所述氧化銦錫中的部分金屬單質析出；所述氫氣的氣體流量為：20～500sccm，通入時間為：100～200s，反應腔室的氣壓為：100～300mT，反應腔室的用于形成等離子體的電極功率為：400～800W。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氫氣的氣體流量為200sccm，通入時間為100s，反應腔室的氣壓為200mT，反應腔室的用于形成等離子體的電極功率為600W。
3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在每個所述檢測單元內形成包括第一電極的圖形的步驟之前還包括：在每個所述檢測單元內形成薄膜晶體管；
在所述薄膜晶體管上方形成絕緣層；
在所述絕緣層上對應于薄膜晶體管的源極的位置形成過孔，以使得第一電極與所述薄膜晶體管的源極相連。
4.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述形成光電轉換結構的步驟包括：
形成光電二極管，該光電二極管的陰極層與所述第一電極相連；
在所述光電二極管的陽極層上方形成包括透明的第二電極的圖形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
