[發明專利]一種高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201510095123.2
• 申請日: 2015-03-04
• 公開（公告）號: CN105280744A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 王子港;陳奕峰;崔艷峰
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務所 33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池，包括硅片(1)，其特征在于：在所述硅片(1)正面依次設置有高折射率氮化硅鈍化層(2)，石墨烯導電層(3)和低折射率氮化硅減反層(4)。

2.根據權利要求1所述的高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述高折射率氮化硅鈍化層(2)的折射率2.2～2.3，膜厚為1～10nm。

3.根據權利要求1所述的高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述石墨烯導電層(3)的厚度為1～10nm。

4.根據權利要求1所述的高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池，其特征在于：低折射率氮化硅減反層(4)的折射率為2.0～2.1，膜厚為60～80nm。

5.一種制造權利要求1-4任一所述高轉化效率抗PID晶體硅太陽能電池的方法，包括如下步驟：

(1)選取硅片，進行制絨、擴散及后清洗；

(2)硅片正面沉積高折射率氮化硅鈍化層，折射率為2.2～2.3，膜厚為1～10nm；

(3)在氮化硅上面旋涂石墨烯的分散液，后續烘干，形成石墨烯導電層，厚度為1～10nm；

(4)在石墨烯層上沉積低折射率氮化硅減反層，折射率為2.0～2.1，膜厚為60～80nm；

(5)完成背電極、背電場、正電極印刷、烘干燒結，形成電池。