[發(fā)明專利]低溫多晶硅薄膜的制備方法、薄膜晶體管及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510095020.6
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN104658891B
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛亞男;劉超;賀增勝;陳蕾;張玉軍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成非晶硅薄膜；

形成覆蓋所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形，其中，位于預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述氧化硅薄膜的厚度大于除了所述預(yù)設(shè)區(qū)域之外其它區(qū)域內(nèi)的氧化硅薄膜的厚度；其中，位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的氧化硅薄膜的厚度為5nm～20nm；

采用準(zhǔn)分子激光照射所述氧化硅薄膜，使所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜，其中，位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的初始多晶硅薄膜為目標(biāo)低溫多晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜之后，還包括：

去除所述初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜；

對所述初始多晶硅薄膜進(jìn)行氫化處理；

對經(jīng)過氫化處理后的初始多晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，保留位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的初始多晶硅薄膜，去除除了所述預(yù)設(shè)區(qū)域之外其它區(qū)域內(nèi)的初始多晶硅薄膜，得到目標(biāo)低溫多晶硅薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，位于除了所述預(yù)設(shè)區(qū)域之外其它區(qū)域內(nèi)的氧化硅薄膜的厚度是位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述氧化硅薄膜的厚度1/2。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在去除所述初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜之后，對經(jīng)過氫化處理后的初始多晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖之前，還包括：

對所述初始多晶硅薄膜表面進(jìn)行光滑化處理。

4.權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的材料為二氧化硅。

5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，形成覆蓋所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形，具體包括：

在所述非晶硅薄膜上形成氧化硅薄膜；

在所述氧化硅薄膜上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域，且所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述預(yù)設(shè)區(qū)域；

對光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成氧化硅薄膜的圖形。

6.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，在形成非晶硅薄膜之后，形成覆蓋所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的圖形之前，還包括：

對所述非晶硅薄膜的表面進(jìn)行氫化處理和清洗處理。

7.一種低溫多晶硅薄膜，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜由權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成。

8.一種薄膜晶體管的制備方法，包括在襯底基板上形成相互絕緣的有源層和柵電極的圖形，以及分別與所述有源層電連接的源電極和漏電極的圖形，其特征在于，所述有源層為低溫多晶硅薄膜，所述低溫多晶硅薄膜采用如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成，且所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗鲇性磳铀诘膮^(qū)域。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管由權(quán)利要求8所述的制備方法制備而成。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。