[發明專利]一種單晶硅太陽能電池的刻蝕方法有效
| 申請號： | 201510094766.5 | 申請日： | 2015-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN104659156B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發明（設計）人： | 王守志;勾憲芳;王鵬;姜利凱 | 申請（專利權）人： | 中節能太陽能科技（鎮江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204 | 代理人： | 徐瑩 |
| 地址： | 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 太陽能電池 刻蝕 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅太陽能電池的刻蝕方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）用1號腐蝕液對硅片的非擴散面和側面進行腐蝕，所述1號腐蝕液中含有濃度為330g/L的硝酸、30g/L的氫氟酸和350g/L的硫酸，反應溫度為8℃；
（2）用2號腐蝕液對硅片的非擴散面進行腐蝕，所述2號腐蝕液中含有濃度為50~55g/L的膽堿、250~275g/L的四甲基氫氧化銨(TMAH)和10~12g/L的苯甲酸鈉，反應溫度為70~80℃；
（3）以質量濃度為8%的氫氟酸液腐蝕硅片的擴散面。
2.根據權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的刻蝕方法，其特征在于：所述1號腐蝕液的腐蝕時間為70~100s。
3.根據權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的刻蝕方法，其特征在于：所述2號腐蝕液的腐蝕時間為70~100s。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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