[發(fā)明專利]多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510094536.9
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN104692391A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭波;高幀棋;唐明元;涂夏明;王紹祖;趙成業(yè)
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)：

將含氯硅烷的漿料送入烘干機(jī)，開啟烘干機(jī)端頭的旋轉(zhuǎn)攪拌機(jī)，連續(xù)旋轉(zhuǎn)攪拌烘干機(jī)管程中的氯硅烷漿料，同時(shí)向烘干機(jī)夾套內(nèi)通入低壓蒸汽，連續(xù)向烘干機(jī)管程中的氯硅烷漿料傳遞熱量，氯硅烷漿料的低沸點(diǎn)氯硅烷蒸發(fā)成氣體；

步驟二、冷凝回收：

氯硅烷氣體進(jìn)入回收罐頂部先進(jìn)行第一級冷凝，然后進(jìn)行第二級冷凝，剩余不凝氣體排至廢氣，第一級和第二級冷凝下來的氯硅烷液體回流至回收罐儲(chǔ)存。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，在步驟一與步驟二之間還設(shè)置有氣體過濾步驟：氣態(tài)的氯硅烷隨烘干機(jī)頂部的排氣管進(jìn)入過濾器，用于去除隨氯硅烷氣體漂浮的細(xì)小固體顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，還包括一固渣填埋步驟：當(dāng)烘干機(jī)檢測到管程內(nèi)的漿料旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)至含固率達(dá)到80％時(shí)，切斷烘干機(jī)夾套的加熱蒸汽，打開烘干機(jī)底部的排渣閥，將烘干機(jī)內(nèi)部剩余的渣漿排入底部的固渣收集罐。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，包括一對固渣收集罐處理的步驟：打開固渣收集罐底部的氮?dú)獯祾唛y，用氮?dú)鈱{渣進(jìn)行降溫冷卻；降溫冷卻產(chǎn)生的廢氣排至后續(xù)噴淋塔，用10％石灰乳溶液循環(huán)淋洗，最后達(dá)標(biāo)排放。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，所述第一級冷凝為循環(huán)水冷凝器，其中冷卻介質(zhì)為循環(huán)水，32℃進(jìn)，38℃出。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，所述第二級冷凝為乙二醇冷凝器，其中冷卻介質(zhì)為乙二醇，-20℃進(jìn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅生產(chǎn)過程中含氯硅烷漿料的干法回收方法，其特征在于，所述烘干機(jī)管程中的氯硅烷漿料溫度控制在80℃-90℃。