[發明專利]多晶硅生產過程中含氯硅烷廢氣的簡易檢測裝置及其檢測方法

有效

• 申請號: 201510094528.4
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN104990995B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 張雷鵬;涂夏明;唐明元;王紹祖;屈杰;蔣曉龍;茍文娜;郭張利
• 申請（專利權）人: 陜西天宏硅材料有限責任公司
• 主分類號: G01N30/02
• 分類號: G01N30/02;G01N31/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.多晶硅生產過程中含氯硅烷廢氣的簡易檢測方法，其特征在于，簡易檢測裝置包括：一放置于液氮罐內的冷凝管，所述冷凝管通過第一橡膠管連接廢氣管線，并通過第二橡膠管連接裝有氫氧化鈉溶液的液封罐；

所述第二橡膠管的端部連接有三角漏斗，且三角漏斗深入所述液封罐內；

所述第一橡膠管上設置有流量控制閥以及流量計；

基于上述簡易裝置實現的簡易檢測方法，包括以下步驟：

步驟一、打開流量控制閥，將冷凝管內的空氣完全排空；

步驟二、調整流量控制閥的開度，直至流量計顯示的流量穩定后，將冷凝管插入液氮罐中，且將三角漏斗放入已知氫氧化鈉摩爾濃度C和體積V₂的液封罐中；

步驟三、在冷凝管內持續通入廢氣，當冷凝管中的冷凝液達到所需量V₁時，關閉流量控制閥，停止計時，記錄下冷凝時間t；

步驟四、拆除冷凝管的前后連接管道，用塞子將冷凝管的進出口塞緊，送至檢測室用色譜檢測液態氯硅烷的摩爾組成：三氯氫硅為a，四氯化硅為b和二氯二氫硅為c；

步驟五、用已知摩爾濃度C1的鹽酸滴定液封罐中剩余的氫氧化鈉，消耗的鹽酸體積為V₅。

2.根據權利要求1所述的多晶硅生產過程中含氯硅烷廢氣的簡易檢測方法，其特征在于，所述流量計顯示流量為200l/h。

3.根據權利要求1所述的多晶硅生產過程中含氯硅烷廢氣的簡易檢測方法，其特征在于，計算各個參數的計算公式如下：

廢氣總體積V＝200*t；

廢氣中HCl氣體的摩爾量n₄＝CV₂-C₁V₅

冷凝液總的摩爾數

被冷凝氯硅烷的氣態體積

HCL氣態的體積

其中M₁代表三氯氫硅分子量；M₂代表四氯化硅分子量；M₃代表二氯二氫硅分子量；R代表理想氣體常數；P代表理想氣體的壓強，ρ代表液態氯硅烷的平均密度。