[發(fā)明專利]一種聚合物高分子材料等離子體表面改性工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510093846.9
• 申請(qǐng)日: 2015-03-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104674168B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王向紅;郎文昌;高斌;謝婷婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 溫州職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C14/20
• 分類號(hào): C23C14/20;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/46;C23C14/58
• 代理公司: 溫州名創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33258
• 代理人: 陳加利

1.一種聚合物高分子材料等離子體表面改性工藝，其特征在于包括以下工序：

（1）將聚合物高分子材料產(chǎn)品洗凈，送入配備了鍍膜部件及離子源的八角形真空室內(nèi)，抽真空，并預(yù)加熱到100-200度，待真空度到達(dá)7*10e-3的時(shí)候，通入激發(fā)氣體0.1-2Pa之間，開(kāi)離子源對(duì)聚合物高分子材料產(chǎn)品表面進(jìn)行活化及改性處理，處理時(shí)間5-10分鐘；

（2）將離子源關(guān)閉，將工作氣體氬氣壓強(qiáng)調(diào)整為0.1-1Pa之間，開(kāi)啟鍍膜部件，所述的鍍膜部件為裝備了金屬靶材的磁控濺射陰極或者精細(xì)離子鍍弧源，在聚合物高分子材料產(chǎn)品的表面沉積導(dǎo)電膜層，鍍膜時(shí)間為5-30分鐘，鍍膜結(jié)束后，開(kāi)啟脈沖疊加直流偏壓10-20kV，占空比10%-90%；

（3）停止鍍膜，通入工作氣體激發(fā)氣體，調(diào)節(jié)壓強(qiáng)在0.1-2Pa之間，開(kāi)啟離子源激發(fā)過(guò)程，及等離子體加速過(guò)程，聚合物高分子材料產(chǎn)品接通脈沖疊加直流偏壓10-20kV，占空比10%-90%，對(duì)等離子體進(jìn)行能量調(diào)制；

（4）等離子處理半個(gè)小時(shí)后，重復(fù)過(guò)程（2）和（3）至少1次，等離子體處理結(jié)束后，降溫到50度時(shí)候，關(guān)閉真空閥門，通入空氣，打開(kāi)真空室門，取出處理后的聚合物高分子材料產(chǎn)品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物高分子材料等離子體表面改性工藝，其特征在于：所述的導(dǎo)電膜層為Cr、Al、Ti、Cu或不銹鋼，或者是成分可調(diào)的Ti、Al、Zr、Cu、Cr、Mo、W的金屬氮化物、氮化物或碳氮化物；或者是碳膜涂層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聚合物高分子材料等離子體表面改性工藝，其特征在于：所述的離子源為陽(yáng)極層離子源、霍爾離子源、潘寧離子源、空心陰極離子源和考夫曼離子源一種或多種組合，所述的激發(fā)氣體為Ar、N²、CO、NH₃、O²、H²一種或多種氣體組合。