[發明專利]用于非貴金屬接合搭接墊的薄NiB或CoB封蓋層有效
| 申請號： | 201510093579.5 | 申請日： | 2015-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN104882429B | 公開（公告）日： | 2019-11-08 |
| 發明（設計）人： | E·貝內;J·德沃斯;J·德拉克山得;L·英格蘭;G·瓦喀納斯 | 申請（專利權）人： | IMEC非營利協會 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張靜;王穎 |
| 地址： | 比利*** | 國省代碼： | 比利時;BE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非貴金屬 接合 封蓋層 搭接 主表面 基板 合金 掩蔽 覆蓋 | ||
1.一種基板(1)，所述基板具有至少一個主表面(11)，所述主表面包括至少一個非貴金屬接合搭接墊(2)，所述非貴金屬接合搭接墊覆蓋有封蓋層(3)，從而將所述非貴金屬接合搭接墊(2)從環境屏蔽開；其特征在于，所述封蓋層(3)是合金，所述合金是NiB或CoB并且含有原子濃度百分率為10-50％的硼，所述封蓋層(3)的厚度大于9nm且小于50nm。
2.如權利要求1所述的基板(1)，其特征在于，所述非貴金屬接合搭接墊(2)含有Cu,Co,Ni,Mo或Mn。
3.一種基板(1)，所述基板具有至少一個主表面(11)，所述主表面包括至少一個非貴金屬接合搭接墊(2)，所述非貴金屬接合搭接墊部分覆蓋有封蓋層，從而將所述非貴金屬接合搭接墊(2)的覆蓋部分(12)從環境屏蔽開；其特征在于，所述封蓋層(3)是合金，所述合金是NiB或CoB并且含有原子濃度百分率為10-50％的硼，所述封蓋層(3)的厚度大于9nm且小于50nm。
4.如權利要求3所述的基板(1)，其特征在于，所述非貴金屬接合搭接墊(2)含有Cu,Co,Ni,Mo或Mn。
5.如權利要求3所述的基板(1)，其特征在于，所述非貴金屬接合搭接墊(2)至少部分延伸高出所述主表面(11)并且所述封蓋層(3)僅覆蓋所述非貴金屬接合搭接墊(2)的頂側(13)。
6.如權利要求3所述的基板(1)，其特征在于，所述非貴金屬接合搭接墊(2)至少部分延伸高出所述主表面(11)并且所述封蓋層(3)僅覆蓋所述非貴金屬接合搭接墊(2)延伸高出所述主表面(11)的側壁(14)。
7.如權利要求6所述的基板(1)，還包括材料層(4)，所述材料層至少部分覆蓋所述非貴金屬接合搭接墊(2)的頂側(13)，所述材料層(4)包括金屬互化物和填隙B，所述金屬互化物包含非貴金屬接合搭接墊(2)的金屬與主焊料金屬和Ni或Co的組合。
8.如權利要求6所述的基板(1)，還包括材料層(4)，所述材料層至少部分覆蓋所述非貴金屬接合搭接墊(2)上沒有被所述封蓋層(3)覆蓋的部分，所述材料層(4)包括金屬互化物和填隙B，所述金屬互化物包含非貴金屬接合搭接墊(2)的金屬與主焊料金屬和Ni或Co的組合。
9.如權利要求8所述的基板(1)，其特征在于，所述主焊料金屬選自：Sn,Zn,Bi,Pb或In。
10.一種制造如權利要求1所述的基板的方法，所述方法包括：
-提供基板，所述基板在主表面上包括至少一個非貴金屬接合搭接墊(2)，
-清潔所述基板(1)的所述主表面(11)，和
-將封蓋層沉積到所述金屬接合搭接墊經清潔的表面上，從而至少部分覆蓋所述非貴金屬接合搭接墊，
其特征在于，
-所述封蓋層(3)是合金，所述合金是NiB或CoB并且含有原子濃度百分率為10-50％的硼，所述封蓋層(3)的厚度大于9nm且小于50nm。
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