[發明專利]鈧鋁合金濺鍍目標

有效

• 申請號: 201510093300.3
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN104883149B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 克里斯·馮;葉堂水;約翰·克伊;凱文·J·格倫納;菲爾·尼克爾
• 申請（專利權）人: 安華高科技股份有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;C23C14/34;C22C21/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種制造濺鍍目標的方法，其包括：

形成鈧鋁合金，所述鈧鋁合金包括3-10原子百分數的鈧和90-97原子百分數的鋁；以及

使所述鈧鋁合金為用作等離子體沉積裝備中的合金靶濺鍍目標作準備。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括測量所述鈧鋁合金的組合物、比較所述所測量的組合物與所要組合物及根據所述比較來調整后續濺鍍目標的組合物。

3.根據權利要求2所述的方法，其中測量所述組合物包括執行感應耦合等離子體ICP質譜分析法MS。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括測量所述鈧鋁合金的微結構、比較所述所測量的微結構與所要微結構及根據所述比較來調整后續濺鍍目標的微結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述所測量的微結構包括在所述濺鍍目標內的ScAl₃的粒度。

6.根據權利要求5所述的方法，其中調整所述微結構包括修改過程參數以將平均粒度減小到小于40μm。

7.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括測量所述鈧鋁合金的鈧偏析、比較所述所測量的偏析與所要偏析及根據所述比較來調整后續濺鍍目標的偏析。

8.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述鈧鋁合金包括：

熔化包括純鈧和純鋁的前驅物材料；

快速鑄造所述熔化的前驅物材料以制造鈧鋁合金錠料；

鍛造或軋制所述鈧鋁合金錠料；

熱處理所述所鍛造或軋制的鈧鋁合金錠料；以及

接合及機械加工所述經熱處理的鈧鋁合金錠料。

9.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述鈧鋁合金進一步包括：

對所述鈧鋁合金錠料執行感應耦合等離子體ICP相對強度分析以確定其鈧含量。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括根據所述所確定的鈧含量來調整用于后續濺鍍目標的所述制造的至少一個過程參數。

11.一種制造聲諧振器結構的方法，其包括：

在含有氮氣的氣氛中，使用包括鈧鋁合金的合金靶濺鍍目標來執行濺鍍過程，所述鈧鋁合金具有3-10原子百分數的鈧和90-97原子百分數的鋁。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述濺鍍目標包括具有小于40μm的粒度的ScAl₃。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

在襯底上形成第一電極；

執行所述濺鍍過程以在所述第一電極上沉積氮化鋁鈧ASN層；以及

在所述ASN層上形成第二電極。

14.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括：

測量跨越所述ASN層的機電耦合系數(kt²)的均勻性；以及

根據所述測量來調整用于制造后續濺鍍目標的過程參數。

15.根據權利要求14所述的方法，其中測量所述均勻性包括執行感應耦合等離子體ICP質譜分析法MS。

16.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括：

測量所述ASN層的機電耦合系數(kt²)；

比較所述所測量的kt²與由所述濺鍍目標產生的至少一個其它ASN層的kt²；以及

根據所述比較來調整用于制造后續濺鍍目標的過程參數。