[發(fā)明專利]配線基板及配線基板的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510093012.8 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104902682A | 公開(公告)日: | 2015-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 草間泰彥;田光秀行;川井謙治;宮坂文久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新光電氣工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H05K1/18 | 分類號(hào): | H05K1/18;H05K3/32 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 配線基板 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種配線基板及配線基板的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中存在一種配線板,其具有形成了空腔的基板和設(shè)置(容納)在所述空腔內(nèi)的電子器件。所述配線板還具有以覆蓋所述空腔的開口的方式所形成的絕緣層(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2011-216740號(hào)公報(bào)
如上所述,現(xiàn)有技術(shù)中存在的配線板在1個(gè)空腔內(nèi)部設(shè)置了1個(gè)電子器件。
然而,如果在1個(gè)空腔內(nèi)部設(shè)置多個(gè)(本文中,多個(gè)指2個(gè)以上)電子器件,則例如在將絕緣層填充至空腔內(nèi)部時(shí),多個(gè)電子器件的位置可能會(huì)出現(xiàn)偏差。多個(gè)電子器件的位置偏差可能會(huì)產(chǎn)生由于相互接觸而導(dǎo)致短路或難以與配線層等進(jìn)行良好連接的現(xiàn)象,進(jìn)而導(dǎo)致出現(xiàn)電氣可靠性的問題。
發(fā)明內(nèi)容
所以,本發(fā)明的目的在于,提供一種在將多個(gè)電子器件配設(shè)在1個(gè)貫穿孔的內(nèi)部時(shí)可提高電氣可靠性的配線基板及配線基板的制造方法。
[用于解決課題的手段]
本發(fā)明的一實(shí)施方式的配線基板包含:核層,其內(nèi)形成有貫穿孔,并具有在平面視圖中從所述貫穿孔的內(nèi)壁向所述貫穿孔的內(nèi)側(cè)突出的突出部;多個(gè)電子器件,其在平面視圖中以互相分離的狀態(tài)并排設(shè)置在所述貫穿孔的內(nèi)部,并具有與并排排列方向相對(duì)的側(cè)部,所述側(cè)部與所述突出部卡合;及樹脂層,其填充在所述貫穿孔的內(nèi)部,并對(duì)所述電子器件的側(cè)部進(jìn)行支撐。
[發(fā)明的效果]
能夠提供一種在將多個(gè)電子器件配設(shè)在1個(gè)貫穿孔的內(nèi)部時(shí)可提高電氣可靠性的配線基板及配線基板的制造方法。
附圖說明
圖1A至圖1B表示一實(shí)施方式的配線基板100的截面圖。
圖2A至圖2C表示核層110的截面圖。
圖3A至圖3C表示在核層110的貫穿孔110H的內(nèi)部配置了電容芯片200的狀態(tài)的圖。
圖4A至圖4B表示一實(shí)施方式的配線基板100的制造步驟的圖。
圖5A至圖5E表示一實(shí)施方式的配線基板100的制造步驟的圖。
圖6A至圖6C表示一實(shí)施方式的配線基板100的制造步驟的圖。
圖7表示在配線基板100上實(shí)裝了LSI芯片的狀態(tài)的圖。
圖8A至圖8C表示一實(shí)施方式的變形例的核層110X的截面圖。
其中,附圖標(biāo)記說明如下:
100??配線基板
110、110X??核層(Core)
110A、110XA1、110XA2??突出部
110A1??頂部
110H、110HX??貫穿孔
111A??配線層
120A、120B??貫穿電極
130A、130B??絕緣層
140A1、140A2、140A3、140A4、140A5、140A6、140B1、140B2、140B3、140B4、140B5、140B6??通孔
150A1、150A2、150A3、150A4、150A5、150A6、150B1、150B2、150B3、150B4、150B5、150B6??配線層
160A、160B??阻焊層
200??電容芯片
具體實(shí)施方式
以下對(duì)發(fā)明的配線基板及配線基板的制造方法的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
<實(shí)施方式>
圖1A至圖1B是表示本實(shí)施方式的配線基板100的截面圖。以下使用作為直角坐標(biāo)系的一個(gè)例子的、包含與配線基板100的表面及里面平行的XY平面的XYZ座標(biāo)系進(jìn)行說明。
圖1A表示與配線基板100的XZ平面平行的截面;圖1B表示與配線基板100的YZ平面平行的截面,其表示的是圖1A中從X軸的負(fù)方向側(cè)向正方向側(cè)進(jìn)行觀察時(shí)的A1-A1截面。
配線基板100包含核層110、配線層111A、貫穿電極120A、120B、絕緣層130A、130B及電容芯片200。
配線基板100還包含通孔140A1、140A2、140A3、140A4、140A5、140A6、140B1、140B2、140B3、140B4、140B5及140B6。
配線基板100還包含配線層150A1、150A2、150A3、150A4、150A5、150A6、150B1、150B2、150B3、150B4、l150B5、150B6及阻焊層160A、160B。
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