[發(fā)明專利]硅太陽能電池及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510092999.1
• 申請日: 2008-11-05
• 公開（公告）號: CN104617173A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安俊勇;郭桂榮;鄭柱和
• 申請（專利權(quán)）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

1.一種制造硅太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：

制備摻雜有第一導(dǎo)電雜質(zhì)的硅半導(dǎo)體基板；

在所述硅半導(dǎo)體基板的一個表面上形成發(fā)射極層，該發(fā)射極層具有重?fù)诫s有第二導(dǎo)電雜質(zhì)的第一發(fā)射極層以及輕摻雜有所述第二導(dǎo)電雜質(zhì)的第二發(fā)射極層，所述第二導(dǎo)電雜質(zhì)的極性與所述第一導(dǎo)電雜質(zhì)的極性相反，并且所述第一發(fā)射極層位于所述第二發(fā)射極層上；

在所述第一發(fā)射極層上的上電極連接到所述第一發(fā)射極層的位置處形成刻蝕掩模圖案，所述刻蝕掩模圖案為網(wǎng)格形；

利用所述刻蝕掩模圖案作為掩模，通過對所述發(fā)射極層的回蝕處理，形成選擇性發(fā)射極層，其中，在所述發(fā)射極層的回蝕處理中，對不存在所述刻蝕掩模圖案的所述第一發(fā)射極層進(jìn)行刻蝕，而不對存在所述刻蝕掩模圖案的第一發(fā)射極層進(jìn)行刻蝕；

去除位于所述第一發(fā)射極層上的所述刻蝕掩模圖案；

在所述選擇性發(fā)射極層上形成防反射層；

在所述第一發(fā)射極層上印刷用于上電極的糊狀物；

在所述硅半導(dǎo)體基板的下部上印刷用于下電極的糊狀物；以及

對所述第一發(fā)射極層上的用于上電極的糊狀物和用于下電極的糊狀物進(jìn)行熱處理，以形成穿過所述防反射層連接到所述第一發(fā)射極層的上電極和連接到所述硅半導(dǎo)體基板的下部的下電極，

其中，所述第一發(fā)射極層的寬度被形成為比所述上電極的寬度寬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個上電極僅位于沿第一方向延伸的所述第一發(fā)射極層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一發(fā)射極層包括沿與所述多個上電極平行的第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向延伸的多條線路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一發(fā)射極層具有包括等于或大于固體溶解度的濃度的死層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一導(dǎo)電雜質(zhì)是p型雜質(zhì)，并且所述第二導(dǎo)電雜質(zhì)是n型雜質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成刻蝕掩模圖案的步驟包括：使用玻璃粉糊在所述第一發(fā)射極層上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷處理，以形成所述刻蝕掩模圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成刻蝕掩模圖案的步驟包括：使用焊接材料、玻璃上硅SOG、和硅石漿中的任意一種在所述第一發(fā)射極層上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷處理，以形成所述刻蝕掩模圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進(jìn)行回蝕處理的步驟使用包括體積比為10:0.1-0.01:1-3:5-10的HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂O的刻蝕劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，以0.08μm/sec至0.12μm/sec的刻蝕速度對所述發(fā)射極層的重?fù)诫s區(qū)域進(jìn)行刻蝕，并且以0.01μm/sec至0.03μm/sec的刻蝕速度對所述發(fā)射極層的輕摻雜區(qū)域進(jìn)行刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，進(jìn)行回蝕處理的步驟使用堿性濕刻蝕或等離子體干刻蝕。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對所述發(fā)射極層進(jìn)行了所述回蝕處理之后，經(jīng)過回蝕的發(fā)射極層的表面電阻在50Ohm/sq至120Ohm/sq的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對所述發(fā)射極層進(jìn)行了所述回蝕處理之后，所述第二發(fā)射極層的表面電阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二發(fā)射極層的表面電阻大于所述第一發(fā)射極層的表面電阻。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述刻蝕掩模圖案之間的間隔在1mm至3mm的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述刻蝕掩模圖案的寬度在50μm至200μm的范圍內(nèi)。