[發明專利]氣體處理裝置

在審

• 申請號: 201510092944.0
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN104941398A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 宇井明生;佐藤陽介;秋田征人;真田恭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: B01D53/32
• 分類號: B01D53/32;B01D46/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳新

1.一種氣體處理裝置，包括：

與彼此相面對的第一電介質基板和第二電介質基板；

分別布置在所述電介質基板的一對相面對的主表面上的第一放電電極和第二放電電極；

分別布置在所述電介質基板的所述主表面的相反側的一對主表面上的第一地電極和第二地電極；

氣體流路，被配置為在所述放電電極之間供應要處理的氣體；

AC電源，被配置為通過在所述放電電極和所述地電極之間施加AC電壓以離子化所述氣體來在第一放電電極側生成第一等離子誘發流并且在第二放電電極側生成第二等離子誘發流；以及

從所述放電電極起在所述等離子誘發流的下游在所述電介質基板之間布置的區域，并且所述電介質基板之間的間隙是所述等離子誘發流的厚度之和的1.3倍以下。

2.如權利要求1所述的氣體處理裝置，

其中，所述第一地電極和第二地電極分別被布置為相對于所述第一放電電極和第二放電電極在某一方向上是偏移的，并且所述等離子誘發流在該方向上流動。

3.如權利要求1所述的氣體處理裝置，

其中，所述間隙是2mm以上并且8mm以下。

4.如權利要求1所述的氣體處理裝置，

其中，所述間隙在沿著所述等離子誘發流的方向上變窄。

5.如權利要求1所述的氣體處理裝置，

其中，從所述第一地電極的下游側端到所述第一電介質基板的下游側端的距離L是0.001[秒]與所述氣體的流速v[m/秒]的乘積(0.001*v)或更小。

6.如權利要求1所述的氣體處理裝置，還包括：

分別布置在所述電介質基板的所述相面對的主表面上的光催化劑層。

7.如權利要求1所述的氣體處理裝置，

其中，所述氣體包括分解對象氣體和大氣，所述分解對象氣體包含碳和氮中的至少一者。

8.如權利要求1所述的氣體處理裝置，還包括：

添加部，被配置為向所述要處理的氣體添加包含氫元素的氣體。

9.如權利要求8所述的氣體處理裝置，

其中，所述包含氫元素的氣體是水蒸氣。

10.如權利要求1所述的氣體處理裝置，還包括：

布置在所述第二地電極上的第三電介質基板；

面對著所述第三電介質基板的氣流分隔物；

布置在所述第三電介質基板上的第三放電電極，所述AC電源被配置為通過在所述第三放電電極和所述第二地電極之間施加AC電壓以離子化所述氣體來在所述第三放電電極側生成第三等離子誘發流；以及

從所述第三放電電極起在所述第三等離子誘發流的下游在所述第三電介質基板和所述氣流分隔物之間布置的第二區域，并且所述第三電介質基板與所述氣流分隔物之間的第二間隙是所述第三等離子誘發流的厚度的1.3倍以下。

11.如權利要求10所述的氣體處理裝置，

其中，所述第二間隙是1mm以上并且4mm以下。

12.如權利要求10所述的氣體處理裝置，

其中，所述氣流分隔物包括朝向所述第三電介質基板的突出部。

13.如權利要求10所述的氣體處理裝置，

其中，所述第二間隙在沿著所述第三等離子誘發流的方向上變窄。

14.如權利要求1所述的氣體處理裝置，還包括：

布置在所述第一地電極上的第四電介質基板；

面對著所述第四電介質基板的第五電介質基板；

分別布置在所述第四電介質基板和第五電介質基板的一對相面對的主表面上的第四放電電極和第五放電電極；以及

布置在所述第五電介質基板的所述主表面的相反側的主表面上的第三地電極，

所述AC電源被配置為通過在所述第四放電電極和所述第一地電極之間以及所述第五放電電極和所述第三地電極之間施加AC電壓以離子化所述氣體來在所述第四放電電極側生成第四等離子誘發流并且在所述第五放電電極側生成第五等離子誘發流，并且

所述第四電介質基板與第五電介質基板之間的間隙是所述第四等離子誘發流和第五等離子誘發流的厚度之和的1.3倍以下。