[發(fā)明專利]FFS型薄膜晶體管陣列基板及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510092277.6
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN104617115A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉洋
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上采用第一道光罩工藝形成公共電極、柵極以及第一像素電極；

采用第二道光罩工藝形成有源層和第二像素電極；其中，有源層和第二像素電極與公共電極、柵極和第一像素電極之間設(shè)置柵極絕緣層；

采用第三道光罩工藝形成漏極和源極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法具體包括步驟：

步驟1、提供一基板，在該基板上依次形成第一透明導(dǎo)電膜層和第一金屬膜層；

步驟2、通過第一道光罩工藝以形成預(yù)定圖案的公共電極、柵極以及第一像素電極；其中，該第一像素電極由所述第一透明導(dǎo)電膜層形成并暴露，所述公共電極和柵極分別由第一透明導(dǎo)電膜層及第一金屬膜層形成，所述公共電極與所述第一像素電極電性連接；

步驟3、在如上結(jié)構(gòu)的基板上依次形成柵極絕緣層、半導(dǎo)體膜層和第二透明導(dǎo)電膜層；

步驟4、通過第二道光罩工藝在所述柵極絕緣層上形成預(yù)定圖案的有源層和第二像素電極；其中，所述有源層由所述半導(dǎo)體膜層形成并位于所述柵極上方，所述有源層上對應(yīng)于漏極和源極的區(qū)域保留有所述第二透明導(dǎo)電膜層；所述第二像素電極為狹縫電極，由所述半導(dǎo)體膜層和第二透明導(dǎo)電膜層形成；

步驟5、在如上結(jié)構(gòu)的基板上形成第二金屬膜層；

步驟6、通過第三道光罩工藝在所述有源層上形成預(yù)定圖案的漏極和源極，形成薄膜晶體管；其中，所述漏極和源極由所述第二金屬膜層形成，所述漏極電性連接于所述第二像素電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一道光罩工藝?yán)没译A掩膜或半灰階掩膜或單狹縫掩膜工藝，對第一透明導(dǎo)電膜層和第一金屬膜層進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻，以形成預(yù)定圖案的相互分離設(shè)置的公共電極、柵極以及第一像素電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二道光罩工藝?yán)没译A掩膜或半灰階掩膜或單狹縫掩膜工藝，對半導(dǎo)體膜層和第二透明導(dǎo)電膜層進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻，以形成預(yù)定圖案的相互分離設(shè)置的有源層和第二像素電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電膜層和第二透明導(dǎo)電膜層的材料為ITO、IZO或AZO。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一金屬膜層和第二金屬膜層的材料為Al、Mo、Cu或Ag。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一像素電極的形狀為整面矩形或梳狀或魚骨狀，所述第二像素電極的形狀為梳狀或魚骨狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，在完成步驟6之后，還包括：在具有前述結(jié)構(gòu)的基板上形成絕緣鈍化層，所述絕緣鈍化層的材料為SiN_x或SiO_x。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的FFS型薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一金屬膜層、第二金屬膜層、第一透明導(dǎo)電膜層、第二透明導(dǎo)電膜層以及半導(dǎo)體膜層分別通過濺射工藝制備形成；所述柵極絕緣層和絕緣鈍化層分別通過化學(xué)氣相沉積工藝制備形成。

10.如權(quán)利要求1-9任一所述的制備方法獲得的FFS型薄膜晶體管陣列基板，其包括：

基板；

設(shè)置于所述基板上且位于同一結(jié)構(gòu)層中的公共電極、柵極以及第一像素電極，所述公共電極與所述第一像素電極電性連接；

覆設(shè)于所述公共電極、柵極以及第一像素電極上的柵極絕緣層；

設(shè)置于所述柵極絕緣層上的有源層和第二像素電極；其中，有源層對應(yīng)設(shè)置于所述柵極的上方，第二像素電極對應(yīng)設(shè)置于所述第一像素電極的上方；

設(shè)置于所述有源層上的漏極和源極；其中，所述漏極電性連接于所述第二像素電極，所述漏極與所述有源層之間設(shè)置有透明導(dǎo)電膜層，所述源極與所述有源層之間設(shè)置有透明導(dǎo)電膜層。