[發明專利]一種雙波段光電傳感器有效
| 申請號: | 201510091875.1 | 申請日: | 2015-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104697556B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 李軍 | 申請(專利權)人: | 武漢聯鈞科技有限公司 |
| 主分類號: | G01D5/26 | 分類號: | G01D5/26 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司11212 | 代理人: | 陳薇 |
| 地址: | 430200 湖北省武漢市東湖新技*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 波段 光電 傳感器 | ||
1.一種雙波段光電傳感器,其特征在于:包括自下而上依次連接的傳感器底座、第一陶瓷基板、第二陶瓷基板和管帽,
所述傳感器底座上端的接地面設有多個接線柱并與接地面用絕緣材料隔離,所述傳感器底座的下端設有多個引腳和一個接地腳,
所述第一陶瓷基板上設有用于支撐所述第二陶瓷基板的支撐座和供所述接線柱貫穿的通孔,在所述第一陶瓷基板上設置有第一光電二極管芯片,
所述第二陶瓷基板的中心設有供光波穿過的中心通孔,在所述第二陶瓷基板上設置有第二光電二極管芯片,
所述管帽上設有透光的光窗,所述管帽將所述第一陶瓷基板、第一光電二極管芯片、所述第二陶瓷基板和第二光電二極管芯片封裝在所述管帽和所述傳感器底座組成的空腔內,
其中,所述第一光電二極管芯片是響應波段在800~2600nm范圍內的InGaAs光電二極管芯片,所述第二光電二極管芯片是響應波段在400~900nm范圍內的Si光電二極管芯片。
2.根據權利要求1所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述傳感器底座為階梯圓柱狀結構,所述傳感器底座上設有用于夾具定位的徑向定位銷。
3.根據權利要求1所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述傳感器底座上設有分別位于矩形四頂點的四個接線柱,對角的兩個所述接線柱高度相同,相鄰的兩個所述接線柱高度不同,所述傳感器底座下方設有一個接地腳和四個分別對應四個所述接線柱的引腳。
4.根據權利要求3所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述第一陶瓷基板為兩端圓弧的矩形結構,兩個所述通孔分別靠近所述第一陶瓷基板的兩端圓弧處,兩個高度較低的接線柱分別穿過兩個所述通孔,矩形四角分別設有圓柱形支撐座,所述第一陶瓷基板通過導電銀膠與所述傳感器底座連接。
5.根據權利要求1所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述第一光電二極管芯片的下端面覆蓋有負極鍍金層,所述第一光電二極管芯片通過導電銀膠與所述第一陶瓷基板連接。
6.根據權利要求1所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述第二陶瓷基板通過導電銀膠與所述第一陶瓷基板的支撐座連接。
7.根據權利要求1所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,在所述第二光電二極管芯片下端面除了與所述第二陶瓷基板的中心通孔相對應的區域之外均覆蓋有負極鍍金層,所述第二光電二極管芯片通過導電銀膠與所述第二陶瓷基板連接。
8.根據權利要求1至7中任一所述一種雙波段光電傳感器,其特征在于,所述管帽的上端面設有用于透光并與所述第二陶瓷基板的中心通孔相對應的石英玻璃光窗。
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