[發明專利]多晶硅化學機械研磨后的清洗方法在審
| 申請號： | 201510091873.2 | 申請日： | 2015-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN104681414A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 秦海燕;李儒興;程君 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 化學 機械 研磨 清洗 方法 | ||
1.一種多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，用于對晶圓表面多晶硅進行化學機械研磨后對晶圓進行清洗，其特征在于，包括以下步驟：
顆粒物清洗，采用清洗劑對所述晶圓表面進行清洗；
第一道刷洗，先采用氨水配合刷子對所述晶圓進行刷洗，再采用超純水配合刷子對所述晶圓進行刷洗；
第二道刷洗，先采用氨水配合刷子對所述晶圓進行刷洗，再采用超純水配合刷子對所述晶圓進行刷洗；
干燥處理，對所述晶圓進行干燥。
2.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第一道刷洗中，采用氨水進行刷洗的時間范圍是5s～30s。
3.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第一道刷洗中，采用超純水進行刷洗的時間范圍是15s～50s。
4.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第二道刷洗中，采用氨水進行刷洗的時間范圍是5s～30s。
5.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第二道刷洗中，采用超純水進行刷洗的時間范圍是15s～50s。
6.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述刷子為多孔聚乙烯醇。
7.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述顆粒物清洗中，所述清洗劑為氨水、雙氧水和超純水的混合溶液。
8.如權利要求7所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，所述顆粒物清洗為兆聲波清洗。
9.如權利要求1所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第二道刷洗后，對所述晶圓進行干燥處理前，還包括多次刷洗，多次所述刷洗與所述第一道刷洗或第二道刷洗相同。
10.如權利要求1或9所述的多晶硅化學機械研磨后的清洗方法，其特征在于，在所述第二道刷洗或多次刷洗后，對所述晶圓進行干燥處理前，還包括潤濕步驟，所述潤濕步驟為采用超純水對所述晶圓進行沖洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
