[發明專利]改善SiC熱氧化后的界面態的制造方法有效
| 申請號： | 201510091817.9 | 申請日： | 2015-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN104716045A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發明（設計）人： | 廖奇泊;胡建國;周雯 | 申請（專利權）人： | 上海芯亮電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 sic 氧化 界面 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善SiC熱氧化后的界面態的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一，定義硅晶圓底材MOSFET工藝制程；
步驟二，定義植入了低溫H2或N2/H2退火工藝方法的硅晶圓底材MOSFET工藝制程用于碳化硅底材MOSFET工藝制程。
2.根據權利要求1所述的改善SiC熱氧化后的界面態的制造方法，其特征在于，所述步驟一包括以下步驟：選擇硅晶圓底材MOSFET工藝制程并止于完成合適藝步驟；植入低溫H2或N2/H2退火工藝方法步驟；植入并延續硅晶圓底材MOSFET工藝制程剩余部分至工藝制程結束。
3.根據權利要求1所述的改善SiC熱氧化后的界面態的制造方法，其特征在于，所述碳化硅底材上依次設有第一氧化層、多晶層和第二氧化層。
4.根據權利要求1所述的改善SiC熱氧化后的界面態的制造方法，其特征在于，所述碳化硅底材上依次設有第一氧化層、次多晶層和第二氧化層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
