[發明專利]一種青瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 201510091369.2 | 申請日: | 2015-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104649651A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 周漢新 | 申請(專利權)人: | 深圳職業技術學院 |
| 主分類號: | C04B33/22 | 分類號: | C04B33/22;C04B33/24 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 任哲夫 |
| 地址: | 518000 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 青瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種青瓷的制備方法,包括高嶺土處理、大理石和閃長石處理、胎土配制、釉料配制、坯體成型與素燒、坯體施釉、燒制;其特征在于,所述高嶺土處理的方法如下:
S1:將高嶺土加熱干燥后粉碎;
S2:粉碎的高嶺土用8-10m/s的勁風揚吹形成原料堆,將高嶺土原料堆分成A0-1原料和B1-2原料;所述的A0-1原料為原料堆沿勁風揚吹方向0-1m之間的高嶺土,B1-2原料為原料堆沿勁風揚吹方向1-2m之間的高嶺土;
S3:將B1-2原料用1.0-1.5m/s的水流沖刷后沉淀形成沉淀層,從上到下取上層五分之一厚度的沉淀層作為Y1原料,取五分之一至十分之九厚度的沉淀層為T1原料;將A0-1原料用1.0-1.5m/s的水流沖刷后沉淀形成沉淀層,從上到下取上層五分之一厚度的沉淀層作為Y2原料,取五分之一至十分之九厚度的沉淀層為T2原料;
S4:將T1原料、T2原料分別與水按1:3比例混合后球磨4-5小時,過60目篩后壓力去水,得到對應的T1胎土原料、T2胎土原料;將Y1原料、Y2原料分別與水按1:4比例混合后球磨20-25小時,過120目篩,干燥后得到對應的Y1釉原料、Y2釉原料。
2.根據權利要求1所述的青瓷的制備方法,其特征在于,所述大理石和閃長石處理的方法如下:
分別以大理石、閃長石作為原料,將原料敲碎,然后送如窯中900±50℃煅燒,煅燒后的原料直接高溫傾入冷水中分解和碎化,取出后的原料與水按1:4的比例球磨20-25小時后,過120目篩,沉淀后去除底層1-2cm厚度的含雜質較多的部分,余料裝入密封容器備用,得到相應的大理石原料、閃長石原料。
3.根據權利要求2所述的青瓷的制備方法,其特征在于,所述胎土配制的方法如下:
按重量份,將50-60份T1胎土原料、25-35份T2胎土原料、0-5份大理石原料、2-5份閃長石原料、5-10份粘土投入真空練泥機中練泥,充分均勻后置于保濕環境中陳腐60天以上。
4.根據權利要求2所述的青瓷的制備方法,其特征在于,所述釉料配制的方法如下:
按重量百分比,將固體粉料15-20%的Y1釉原料、30-35%的Y2釉原料、20-30%的大理石、20-30%的閃長石、5-10%的釉果混合后,再將固體粉料與水按1:4的比例混合制成釉料。
5.根據權利要求1所述的青瓷的制備方法,其特征在于,所述燒制的方法如下:
將噴好釉的坯體裝窯后,以1-2℃/min的升溫速率由常溫升至300℃,此升溫過程煙囪調至最大抽力,窯門開啟15-25cm縫隙;窯內溫度達到300℃時,再以1.5-3.5℃/min的升溫速率升溫至600℃,此升溫過程煙囪保持最大抽力,在窯內溫度達到350℃時關閉窯門;窯內溫度達到600℃后,快速升溫至980-1000℃;從1000℃開始逐漸加大窯內氣壓,使窯內由氧化氣氛轉至半還原氣氛繼續升溫;當溫度升至1200℃時,減小煙囪抽力,逐漸減小窯內氣壓,使窯內溫度先下降,之后再上升,升溫至1280℃后,在1280℃保持1.5-2.5小時后熄火;熄火后將煙囪調至最大抽力,自然降溫至100℃以下,即可開窯取出成品。
6.一種如權利要求1所述制備方法制備的青瓷,其特征在于,
所述的青瓷的坯體包括以下重量份成分:T1胎土原料50-60份、T2胎土原料25-35份、大理石原料0-5份、閃長石原料2-5份、粘土5-10份;
所述的青瓷的釉料包括固體粉料和水,固體粉料和水的重量比為1:4;所述的固體粉料由以下重量百分比成分組成:Y1釉原料15-20%、Y2釉原料30-35%、大理石20-30%、閃長石20-30%、釉果5-10%。
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