[發明專利]一種鈍葉瓦松組織培養再生體系的建立方法

無效

• 申請號: 201510090986.0
• 申請日: 2015-03-01
• 公開（公告）號: CN104663447A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 陳鳳佳
• 申請（專利權）人: 陳鳳佳
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 玉林市振盛專利商標代理事務所 45109
• 代理人: 吳安儀

技術領域

????本發明涉及植物生物技術中植物組織培養的方法，具體地說，涉及一種鈍葉瓦松組織培養再生體系的建立方法。

背景技術

鈍葉瓦松（Orostachys?malacophyllus）為景天科瓦松屬的二年生肉質草本植物。景天科植物，為多年生肉質草本，生于山坡或石上，品種繁多，全科植物35屬，1600種，廣泛分布于全球，如非洲、亞洲、歐洲，主產地為南非。中國有10屬約240余種，全國各地均有分布。景天科植物植株一般矮小，肉質多汁，花開夏秋，小而多且花色各異，景天科植物耐旱力極強，栽培粗放管理，且具有一定得抗寒性，是園林中重要的觀賞植物，尤其對于寒冷地區更是不可多得的園林綠化植物。我國具有極其豐富的景天科植物資源，但是仍有大部分的資源處于野生狀態，有待于進一步的調查與研究。目前國內外關于景天科植物栽培繁殖方面的研究有相關報道，但涉及到的植物種類相對較少，可見對于景天科植物尤其是未經開發利用的野生資源的調查研究及探索其最適宜的繁殖方式對于合理的開發和利用景天科植物資源、保護日益減少的野生景天科資源具有重要的現實意義。

植物的組織培養技術是自20世紀以來科技進步的主要成果之一。組織培養技術既不會受到地理位置的限制、也不會受到季節的限制，它僅需要足夠的實驗材料，研究就可以進行，且遺傳背景一致、生長周期短、成本低。鈍葉瓦松作為一種頗具開發價值的野生花卉，有較強的抗旱、抗逆性，管理較粗放，自身繁衍能力也比較強，適應性廣，群體種植綠化效果好，尤其對于冬季條件比較干旱寒冷地區的綠化具有極其重要的意義。由于人為過度的挖掘，致使鈍葉瓦松野生資源遭到嚴重的破壞，蘊藏量急劇減少，因此有必要建立鈍葉瓦松離體再生體系，既能解決過度開發景天科野生資源的問題，還能保存優良的種質資源，將更多的景天科植物應用到園林綠化中來，以豐富寒冷地區的園林綠化植物種類和品種，點綴城市景觀，增加園林植物的品種多樣性。

發明內容

????本發明的目的在于提供出一種鈍葉瓦松組織培養再生體系的建立方法，本發明以鈍葉瓦松帶芽莖段為外植體，經過外植體處理、誘導培養、繼代培養、分化培養、生根及移栽等過程建立了鈍葉瓦松組織培養再生體系，從而實現了本發明的目的。

?本發明的一種鈍葉瓦松組織培養再生體系的建立方法，包括以下的步驟：

（1）外植體消毒：采集鈍葉瓦松健康植株帶芽莖段，用軟毛刷蘸洗衣粉水輕輕刷洗，自來水沖洗1～3h后置于超凈工作臺中，先用75%乙醇消毒5～30s后用無菌水洗3～5次，再用0.1%升汞溶液消毒3～8min，用無菌水沖洗4～6次再用無菌濾紙擦干表面的水珠后備用。

（2）愈傷組織誘導：將經步驟（1）處理后的帶芽莖段接種于誘導培養基中進行愈傷組織誘導。接種后先在25～28℃條件下全暗培養1～3天，然后置于每天光照10～20小時，光照強度為2000～3000lx，置于培養溫度為25～28℃的條件下培養直至形成愈傷組織。培養2周后統計污染率、啟動率和死亡率。

（3）增殖培養：將步驟（2）誘導培養得到的愈傷組織切割成0.5cm³大小并接種于增殖培養基上進行繼代培養，接種后先在25～28℃條件下全暗培養3～7天，然后置于每天光照13～16小時，光照強度為2000～3000lx，置于培養溫度為25～28℃的條件下培養，30天后統計愈傷組織的增殖倍數。多次反復切割進行繼代培養，以得到更多的愈傷組織。

（4）分化培養：將步驟（2）或（3）誘導培養得到的愈傷組織切割成0.5cm³大小并接種于分化培養基上進行叢生芽誘導培養。接種后先在25～28℃條件下全暗培養1～3天，然后置于每天光照13～16小時，光照強度為2000～3000lx，置于培養溫度為25～28℃的條件下培養直至形成叢生芽。接種后定期觀察愈傷組織的分化情況，30天后統計不定芽的分化率。

（5）壯苗培養：將步驟（4）得到的高度為0.1～0.5cm分化芽苗接種到壯苗培養中進行壯苗培養。接種后先在25～28℃條件下全暗培養1～3天，然后置于每天光照13～15小時，光照強度為3000～4000lx，培養溫度為25～28℃的條件下培養至大部分試管苗高于3cm。一個月后統計高于3cm的不定芽數。

（6）生根培養：將步驟（5）過程獲得的叢生芽切割成3.0～5.0cm帶芽莖段并接種到生根培養基上進行誘導培養，接種后先在25～28℃條件下全暗培養1～3天，然后置于每天光照13～15小時，光照強度為3000～5000lx，培養溫度為25～28℃的條件下培養至生根。