[發(fā)明專利]毫米波介質(zhì)集成短背射天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510089647.0
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN104681981B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 符小東;徐翠;王學(xué)仁;丁建軍;劉志清;顧曉鳳;包志華
• 申請（專利權(quán)）人: 中天寬帶技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01Q1/50
• 分類號: H01Q1/50;H01Q13/18;H01Q19/10
• 代理公司: 南京品智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32310
• 代理人: 奚曉寧

1.一種毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，包括從下到上依次疊設(shè)的第一介質(zhì)基片、第二介質(zhì)基片、至少兩層第三介質(zhì)基片以及一層第四介質(zhì)基片；

該至少兩層第三介質(zhì)基片分別開設(shè)有相互正對的第一通孔，每一所述第三介質(zhì)基片的上表面均設(shè)置有第三金屬層，每一所述第三金屬層開設(shè)有與所述第一通孔正對的第二通孔，每一層所述第三介質(zhì)基片圍繞對應(yīng)所述第一通孔設(shè)置有多個第一金屬化通孔，該至少兩層第三金屬層、該多個第一金屬化通孔圍成一圓形諧振腔；

所述第一介質(zhì)基片的下表面設(shè)置有第一金屬層并在該第一金屬層形成有饋電微帶線；所述第二介質(zhì)基片的上表面和下表面分別設(shè)置有第二金屬層，所述第二介質(zhì)基片開設(shè)有多個呈正方形排列的第二金屬化通孔，該兩層第二金屬層以及該多個第二金屬化通孔圍成一矩形諧振腔，上表面的所述第二金屬層還設(shè)置有兩條正對的輻射縫隙，下表面的所述第二金屬層設(shè)置有用于與所述饋電微帶線耦合的耦合縫隙；所述第四介質(zhì)基片的下表面對應(yīng)所述第一通孔的位置設(shè)置有圓形的次反射金屬面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，所述次反射金屬面、所述圓形諧振腔以及所述矩形諧振腔的軸心線重合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，所述次反射金屬面與所述矩形諧振腔在所述第四介質(zhì)基片上的投影內(nèi)切。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，所述耦合縫隙呈矩形狀，所述耦合縫隙的中心在所述圓形諧振腔的軸心線上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，所述輻射縫隙呈矩形條狀，該兩條輻射縫隙關(guān)于所述圓形諧振腔在該上表面的第二金屬層上的投影的中心點中心對稱。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波介質(zhì)集成短背射天線，其特征在于，所述第三介質(zhì)基片的層數(shù)為三層。