[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510089196.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN104882454A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寺田隆司;堀真也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/14
• 分類號(hào): H01L27/14;H01L27/146;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

芯片區(qū)，

所述芯片區(qū)包括：

具有主表面的半導(dǎo)體襯底；

形成在所述半導(dǎo)體襯底中的光電轉(zhuǎn)換元件；

標(biāo)記狀外觀部，所述標(biāo)記狀外觀部從所述半導(dǎo)體襯底的主表面中的一個(gè)主表面朝向與所述一個(gè)主表面相反的另一主表面?zhèn)妊由欤⑶矣糜趯⒐馐┘又了龉怆娹D(zhuǎn)換元件；

焊盤電極，所述焊盤電極設(shè)置在與所述半導(dǎo)體襯底的所述一個(gè)主表面?zhèn)鹊乃鰳?biāo)記狀外觀部重疊的位置處；以及

用于耦合所述焊盤電極和所述標(biāo)記狀外觀部的耦合部，

其中所述標(biāo)記狀外觀部包括覆蓋形成在所述半導(dǎo)體襯底中的溝槽部的全部側(cè)表面的絕緣膜，

其中所述另一主表面?zhèn)鹊乃龊副P電極的至少一部分通過從所述半導(dǎo)體襯底的所述另一主表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述焊盤電極的開口而暴露，并且

其中以在平面圖中圍繞所述開口的外周的至少一部分的方式設(shè)置所述標(biāo)記狀外觀部和所述耦合部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述標(biāo)記狀外觀部從所述半導(dǎo)體襯底的所述一個(gè)主表面至所述另一主表面貫穿所述半導(dǎo)體襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中以在平面圖中圍繞所述開口的全部外周的方式設(shè)置所述標(biāo)記狀外觀部和所述耦合部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述標(biāo)記狀外觀部包括設(shè)置在所述絕緣膜內(nèi)部的導(dǎo)電膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述導(dǎo)電膜由金屬材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中在平面圖中圍繞所述光電轉(zhuǎn)換元件和所述焊盤電極的密封環(huán)設(shè)置在所述芯片區(qū)中的最上部處，并且

其中作為與所述標(biāo)記狀外觀部相同的層的其他標(biāo)記狀外觀部設(shè)置在所述密封環(huán)的所述另一主表面?zhèn)取?!-- SIPO -->

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述光電轉(zhuǎn)換元件與具有多個(gè)金屬布線的布線層電耦合，并且

其中以包括與所述金屬布線的至少一部分相同的層的方式形成所述耦合部的至少一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中多個(gè)所述芯片區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底處相互間隔成陣列，

其中在插入在彼此相鄰的一對(duì)所述芯片區(qū)之間的劃片區(qū)中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部以從所述一個(gè)主表面至所述另一主表面貫穿所述半導(dǎo)體襯底的方式延伸，并且

其中所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部形成為與所述標(biāo)記狀外觀部相同的層。

9.一種制造包括芯片區(qū)的半導(dǎo)體器件的方法，

所述方法包括以下步驟：

提供具有主表面的半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成光電轉(zhuǎn)換元件；

形成溝槽部，所述溝槽部從所述半導(dǎo)體襯底的主表面中的一個(gè)主表面朝向與所述一個(gè)主表面相反的另一主表面?zhèn)妊由欤⑶矣糜趯⒐馐┘又了龉怆娹D(zhuǎn)換元件；

形成覆蓋所述溝槽部的全部側(cè)表面的絕緣膜，并且由此形成標(biāo)記狀外觀部；

形成與所述標(biāo)記狀外觀部耦合的耦合部；

在所述半導(dǎo)體襯底的所述一個(gè)主表面?zhèn)龋谂c所述標(biāo)記狀外觀部重疊的位置處，形成與所述耦合部耦合的焊盤電極；以及

以暴露所述焊盤電極的所述另一主表面?zhèn)鹊闹辽僖徊糠值姆绞剑纬蓮乃霭雽?dǎo)體襯底的所述另一主表面?zhèn)鹊竭_(dá)所述焊盤電極的開口，

其中以在平面圖中圍繞所述開口的外周的至少一部分的方式，形成所述標(biāo)記狀外觀部和所述耦合部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中每個(gè)都包括所述光電轉(zhuǎn)換元件和所述焊盤電極的多個(gè)所述芯片區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底中相互間隔地形成為陣列，

所述方法進(jìn)一步包括形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部的步驟，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部在插入在彼此相鄰的一對(duì)所述芯片區(qū)之間的劃片區(qū)中以從所述一個(gè)主表面至所述另一主表面貫穿所述半導(dǎo)體襯底的方式延伸，

其中用于形成所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記部的第一溝槽部與用于形成所述標(biāo)記狀外觀部的第二溝槽部同時(shí)形成。