[發明專利]制造發光裝置的方法

在審

• 申請號: 201510088718.5
• 申請日: 2010-07-22
• 公開（公告）號: CN104795314A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 金彰淵;酒井士郎;金華睦;李俊熙;文秀榮;金京完
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;韓明星

1.一種制造發光裝置的方法，所述方法包括：

將基底放置在第一室中，所述基底包括第一半導體層和在第一半導體層上以預定圖案形成的金屬材料層；

在第一室中，在第一半導體層和金屬材料層上形成第二半導體層，同時在第一半導體層的位于金屬材料層下方的部分中形成孔隙；

將具有第二半導體層的基底從第一室轉移到第二室；

在第二室中，在第二半導體層上形成化合物半導體層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，轉移所述基底的同時將所述基底保持在真空下。

3.如權利要求1所述的方法，其中，金屬材料層包括位于第一半導體層上的彼此分隔開恒定距離并且具有恒定寬度的多個條紋狀部分，第二半導體層覆蓋金屬材料層。

4.如權利要求2所述的方法，其中，金屬材料層包括氧化物層，氧化物層形成用于第一半導體層的掩模。

5.如權利要求4所述的方法，其中，金屬材料層以使多個孔通過金屬材料層連接到第一半導體層和第二半導體層的厚度形成。

6.如權利要求1所述的方法，其中，第一半導體層和第二半導體層由相同的或不同的化合物半導體材料形成，金屬材料層由具有比形成第二半導體層的加熱溫度高的熔點的金屬材料形成。

7.如權利要求1所述的方法，其中，金屬材料層包括形成用于第一半導體層的掩模的氧化物層，并且形成穿過金屬材料層的多個孔，其中，第一半導體層和第二半導體層通過金屬材料層結合，

其中，利用金屬有機化學氣相沉積技術形成第二半導體層，

其中，形成在金屬材料層的一部分的下方的第一半導體層與金屬材料層和氧反應，并用第一半導體層通過所述多個孔蒸發而形成孔隙。

8.如權利要求1所述的方法，其中，金屬材料層為鉭層并且具有大于5nm的厚度，鉭層的表面被鉭氧化物覆蓋，并且在第一半導體層上形成金屬材料層之后，第一半導體層和鉭層之間的界面被鉭和鉭氧化物覆蓋。

9.如權利要求1所述的方法，其中，所述基底為藍寶石基底或硅基基底。

10.如權利要求1所述的方法，其中，形成化合物半導體層的步驟包括：

形成第一化合物半導體層；

在第一化合物半導體層上形成活化層；

在活化層上形成第二化合物半導體層。

11.如權利要求10所述的方法，所述方法還包括：

將第二基底附于第二化合物半導體層；

利用形成在第一半導體層中的孔隙分離所述基底。