[發明專利]參數優化方法及參數優化裝置

在審

• 申請號: 201510087574.1
• 申請日: 2015-02-26
• 公開（公告）號: CN104951376A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 柯學嶺;馮懷元;張正賢
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/00
• 分類號: G06F11/00;G06F9/445
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 張金芝;楊穎

【技術領域】

本發明涉及數據存儲技術，尤其涉及參數優化方法及參數優化裝置。

【背景技術】

在一嵌入式系統的系統啟動(system?booting)階段，在將指令和數據從一非易失性存儲器(例如，閃存)載入一動態隨機存取存儲器(Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM)之前，需先初始化(initialize)該DRAM。通常，嵌入式系統從它們的非易失性存儲器中獲取不同的接入參數以適用于不同的印刷電路板(Printed?Circuit?Boards，PCB)布局。當前，由工程師以手寫的方式生成一默認的參數序列并傳送給客戶端以便將該默認的參數序列存入適用于特定PCB布局的非易失性存儲器中。這種常用的技術，同時需要工程師的人力資源和非易失性存儲器的存儲資源。因此，需要嵌入式系統在系統啟動階段提供對DRAM的訪問參數(例如默認寫參數)進行自動校準的能力。

【發明內容】

本發明提供參數優化方法及參數優化裝置。

本發明的提供的一種參數優化方法，包括：執行動態隨機存取存儲器寫校準以獲得寫參數；以及用所述獲得的寫參數替換存儲在一非易失性存儲器中的默認寫參數，所述默認寫參數包含在一啟動裝載程序中。由此，本發明實施例可自動校準非易失性存儲器中的默認寫參數，改善現有技術默認寫參數由工程師手工書寫帶來的不便和不可更換性。

本發明提供的另一種參數優化方法，包括：執行動態隨機存取存儲器寫校準以獲得寫參數；以及用所述獲得的寫參數替換存儲在一非易失性存儲器中的默認寫參數，所述默認寫參數包含在一啟動裝載程序中。由此，本發明實施例可自動校準非易失性存儲器中的默認寫參數和用于從DRAM中讀取數據的讀參數，改善現有技術由工程師手工書寫帶來的不便和不可更換性，并提高DRAM數據讀取的成功率。

本發明提供的參數優化裝置，包括：一非易失性存儲器，用于存儲一啟動裝載程序；一微控制器，用于將所述啟動裝載程序的第一部分從所述非易失性存儲器中復制到一靜態隨機接入存儲器中，從所述靜態隨機接入存儲器中獲取并執行所述啟動裝載程序的第一部分的多個指令來實施一動態隨機存取存儲器寫校準以獲得寫參數，并使用所述獲得的寫參數替換存儲在所述非易失性存儲器中的所述啟動裝載程序中的第一部分的默認寫參數。本發明的參數優化裝置實施本發明的參數優化方法以完成DRAM默認寫參數的自動校準。

【附圖說明】

本發明可通過閱讀隨后的細節描述和參考附圖所舉的實施例被更全面地理解，其中：

圖1為本發明一實施例的參數優化裝置的一硬件結構圖。

圖2為本發明一實施例的啟動過程的流程圖。

圖3為DRAM讀校準完成之后DQS信號和DQ信號的示意圖。

圖4A-圖4B為本發明一實施例的DRAM讀校準的方法流程圖。

圖5為本發明一實施例的在DQ線上檢測數據窗口的左邊界的示意圖。

圖6為本發明一實施例的在DQ線上檢測數據窗口的右邊界的示意圖。

圖7為本發明一實施例的DRAM寫校準的方法流程示意圖。

圖8為本發明一實施例的分散描述文件的一個示意圖。

【具體實施方式】