[發明專利]薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置有效
| 申請號: | 201510087376.5 | 申請日: | 2015-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN104867921B | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發明(設計)人: | 李瑛長;孫庚模;趙圣弼;樸帝薰;李昭珩;盧相淳;樸文鎬;李成秦;高承孝;鄭美真 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柵極電極 薄膜晶體管基板 基板 薄膜晶體管 氧化物半導體層 多晶半導體層 第二區域 漏極電極 顯示裝置 源極電極 多晶硅 氮化物層 第一區域 氧化物層 申請 覆蓋 | ||
本申請涉及一種在相同基板上具有兩種不同類型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。本申請提出了一種薄膜晶體管基板,包括:基板;設置在基板的第一區域的第一薄膜晶體管,包括多晶硅多晶半導體層、在多晶硅多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極;設置在基板的第二區域的第二薄膜晶體管,包括第二柵極電極、在第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極;氮化物層,設置在所述基板除第二區域外的區域上,并覆蓋第一柵極電極;以及氧化物層,設置在第一柵極電極和第二柵極電極之上并在氧化物半導體層之下。
技術領域
本申請涉及一種在相同基板上具有兩種不同類型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。
背景技術
如今,隨著信息化社會的發展,針對用以顯示信息的顯示裝置的需求正在增加。因此,開發了多種平板顯示裝置(或FPD)以克服陰極射線管(或CRT)的缺點,例如重量高及體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或LCD)、等離子顯示面板(或PDP)、有機發光顯示裝置(或OLED)以及電泳顯示裝置(或ED)。
平板顯示裝置的顯示面板可以包括在以矩陣方式排列的像素區域內設置有薄膜晶體管的薄膜晶體管基板。例如,液晶顯示裝置(或LCD)通過利用電場控制液晶層的光透射率以表現視頻數據。有機發光二極管顯示裝置的以矩陣方式設置的每一像素中形成了有機發光二極管,因此有機發光二極管顯示裝置通過產生正確受控的光以表現視頻數據。
作為自發光顯示裝置,有機發光二極管顯示裝置具有響應速度非常快、亮度非常高及視角大的優點。利用了能量效率優異的有機發光二極管的有機發光二極管顯示裝置(或OLED)可分為無源矩陣型的有機發光二極管顯示裝置(或PMOLED)和有源矩陣型的有機發光二極管顯示裝置(或AMOLED)。
隨著個人用電子裝置更為普遍,正在積極開發攜帶性及/或穿戴性的裝置。為了將顯示裝置應用于攜帶用和/或可穿戴裝置中,所述裝置具有低消耗功率的特性。然而,利用目前為止開發的技術,在獲得低消耗功率特性優異的裝置方面存在有限制。
發明內容
為了克服上述缺陷,本申請的目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板,該薄膜晶體管基板在相同的基板上具有至少兩種特性彼此不同的薄膜晶體管。本申請的另一目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板,該薄膜晶體管基板具有通過最優化的制造工藝及最少化的掩模工藝來形成的兩種不同類型的薄膜晶體管。
為了實現所述目的,本申請提出一種薄膜晶體管基板,其包括:基板;設置在所述基板的第一區域的第一薄膜晶體管,包括多晶半導體層、在多晶半導體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極;設置在所述基板的第二區域的第二薄膜晶體管,包括第二柵極電極、在第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極以及第二漏極電極;氮化物層,設置在所述基板除第二區域外的區域上,并覆蓋第一柵極電極;以及氧化物層,設置在第一柵極電極和第二柵極電極之上并在氧化物半導體層之下。
在一實施例中,所述薄膜晶體管基板還包括覆蓋所述多晶半導體層的柵極絕緣層。
在一實施例中,所述氮化物層和氧化物層的每一個都具有至的厚度。
在一實施例中,所述氮化物層設置在氧化物層之下。
在一實施例中,所述薄膜晶體管基板還包括在第一區域中設置在氮化物層和第一柵極電極之間的下氧化物層。
在一實施例中,所述氮化物層設置在氧化物層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





