[發明專利]制造用于熱輔助磁記錄光輸送的干涉測量錐形波導管的方法

在審

• 申請號: 201510087334.1
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104868221A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: D·萬;G·伊;L·趙;H·孫;Y·李
• 申請（專利權）人: 西部數據（弗里蒙特）公司
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;張全信

1.制造波導管的方法，所述方法包括：

沉積薄膜堆棧，所述薄膜堆棧包括第一硬掩模層、第二硬掩模層、第一包層、芯層和第二包層；

在光敏抗蝕劑層中限定第一圖案；

轉移所述第一圖案至所述第一硬掩模層；

去除所述光敏抗蝕劑層；

形成從所述第一硬掩模層中的所述第一圖案圖案化的在所述第二硬掩模層中的第二圖案；

轉移所述第二圖案至所述芯層；和

使所述波導管的頂表面平面化。

2.權利要求1所述的方法，其中所述芯層被沉積在所述第二包層上，所述第一包層被沉積在所述芯層上，所述第二硬掩模層被沉積在所述第一包層上，并且所述第一硬掩模層被沉積在所述第二硬掩模層上。

3.權利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模層包含Ta₂O₅或Ta，所述第二硬掩模層包含Cr或Ru，所述第一包層包含SiO₂，所述芯層包含Ta₂O₅，并且所述第二包層包含SiO₂。

4.權利要求1所述的方法，其中所述在所述光敏抗蝕劑中限定第一圖案包括深紫外光刻。

5.權利要求1所述的方法，其中所述轉移所述第一圖案至所述第一硬掩模層包括反應離子蝕刻。

6.權利要求1所述的方法，其中所述形成在所述第二硬掩模層中的所述第二圖案包括反應離子蝕刻。

7.權利要求1所述的方法，其中所述轉移所述第二圖案至所述芯層包括反應離子蝕刻。

8.權利要求7所述的方法，進一步包括再填充通過所述反應離子蝕刻去除的包層材料。

9.權利要求1所述的方法，其中所述使所述波導管的頂表面平面化包括化學機械平面化。

10.權利要求1所述的制造波導管的方法，進一步包括使用濕蝕刻去除所述第二硬掩模層。

11.制造干涉測量錐形波導管(I-TWG)的方法，所述方法包括：

沉積薄膜堆棧，所述薄膜堆棧包括多個硬掩模層和包層-芯夾層，其中所述多個硬掩模層位于所述包層-芯夾層上，并且所述包層-芯夾層包括頂部包層、底部包層和位于所述頂部包層和所述底部包層之間的芯層；

在頂部硬掩模層上離心澆鑄光敏抗蝕劑層；

利用第一微細加工工藝在所述光敏抗蝕劑層中限定I-TWG圖案；

利用第二微細加工工藝將所述I-TWG圖案轉移到所述頂部硬掩模層；

去除所述光敏抗蝕劑；

利用第三微細加工工藝在底部硬掩模層中形成所述I-TWG圖案；

利用第四微細加工工藝將所述I-TWG圖案轉移到所述芯層；

再填充包層材料；

利用第五微細加工工藝去除過量的包層材料；

利用第六微細加工工藝使所述I-TWG的頂表面平面化；和

利用第七微細加工工藝去除所述底部硬掩模層。

12.權利要求11所述的方法，其中所述多個硬掩模層的每一個包含Ta₂O₅、Ta、Cr或Ru。

13.權利要求11所述的方法，其中所述包層包含SiO₂并且所述芯層包含Ta₂O₅。

14.權利要求11所述的方法，其中所述第一微細加工工藝包括使用深紫外光刻。

15.權利要求11所述的方法，其中所述第二微細加工工藝、所述第三微細加工工藝和所述第四微細加工工藝每一個包括使用反應離子蝕刻。

16.權利要求11所述的方法，其中所述第五微細加工工藝包括使用波導蝕刻和反應離子蝕刻。

17.權利要求11所述的方法，其中所述第六微細加工工藝包括使用化學機械平面化。

18.權利要求11所述的方法，其中所述第七微細加工工藝包括使用濕蝕刻。

19.權利要求11所述的方法，其中所述I-TWG圖案包括錐形波導管圖案、定向耦合器圖案和分光器圖案。

20.制造干涉測量錐形波導管(I-TWG)的方法，所述方法包括以下步驟：

沉積薄膜堆棧，所述薄膜堆棧包括第一硬掩模層、第二硬掩模層、第一包層、芯層和第二包層；

在光敏抗蝕劑層中限定I-TWG圖案，其中所述I-TWG圖案包括錐形波導管圖案、定向耦合器圖案和分光器圖案；

轉移所述I-TWG圖案至所述第一硬掩模層；

去除所述光敏抗蝕劑層；

使用所述第一硬掩模層作為模板從而在第二硬掩模層上形成所述I-TWG圖案；

轉移所述I-TWG圖案至所述芯層；和

使所述波導管的頂表面平面化。