[發明專利]用于保形氮化鋁的高增長速率的工藝

有效

• 申請號: 201510086588.1
• 申請日: 2015-02-17
• 公開（公告）號: CN104851796B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 尚卡爾·斯娃米納森;阿南德·班爾及;納格拉杰·尚卡爾;阿德里安·拉瓦伊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/314
• 分類號: H01L21/314;H01L21/318;C23C16/34
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 樊英如,李獻忠

1.一種在反應室中處理具有特征的半導體襯底的方法，該方法包括：

(a)將所述襯底暴露于含鋁前體持續足以基本上吸附到所述襯底的表面上的時間；

(b)從所述反應室清掃所述含鋁前體持續不足以從氣相基本上去除所有的所述含鋁前體的時間；

(c)將所述襯底暴露于含氮前體持續足以驅動熱介導的反應以在所述襯底的所述表面上形成氮化鋁層的時間，其中，所述氮化鋁層對于所述襯底基本上是保形的并具有約或更大的厚度；

(d)從所述反應室清掃氣相中的所述含氮前體；以及

(e)重復(a)至(d)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述氮化鋁層具有至少80％的臺階覆蓋率。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在介于250℃和450℃之間的工藝溫度下處理所述襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在介于0.01乇和10乇之間的壓強下處理所述襯底。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述含鋁前體是三甲基鋁(TMA)。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氮前體是氨(NH₃)。

7.根據權利要求1所述的方法，其中清掃所述含鋁前體進一步包括使氮氣(N₂)流動并且清掃所述含氮前體進一步包括使氮氣(N₂)流動。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述含鋁前體被清掃持續約2秒。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底暴露于所述含鋁前體持續7.5秒至30秒。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底暴露于所述含鋁前體的時間比清掃所述含鋁前體的時間的比率介于3.75:1和15:1之間。

11.根據權利要求1所述的方法，其中處理顯示實質上無圖案加載。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，在(a)至(d)的循環期間沉積的氮化鋁的量為至少。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，在(a)至(d)的循環期間沉積的氮化鋁的量為至少。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底的所述特征具有至少2:1的深寬比。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底的所述特征具有小于100nm的開口。