[發(fā)明專利]節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510086267.1
• 申請(qǐng)日: 2015-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN104651791B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王魯南;王建華;竇立峰;樸賸一;全武賢;朱麗萍;葉志鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京匯金錦元光電材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;B32B15/04;B32B9/04
• 代理公司: 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11350
• 代理人: 王清義

1.節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜制備方法，該制備方法使用在一個(gè)真空鍍膜腔內(nèi)的多個(gè)磁控濺射裝置，各磁控濺射裝置包括以惰性氣體作為工作氣體、以氧氣為反應(yīng)氣體的濺射腔、位于濺射腔內(nèi)的靶材，其特征是，

各濺射腔內(nèi)的氣體壓力相等；

連續(xù)移動(dòng)的柔性透明基材依次通過(guò)靶材分別是單晶Si、Nb₂O_x、Nb₂O_x、單晶Si、銀或銅、半導(dǎo)體氧化物的第一至第六磁控濺射裝置；除第五磁控濺射裝置外，其它磁控濺射裝置的濺射腔均通入作為反應(yīng)氣體的氧氣；柔性透明基材溫度<80℃，通過(guò)各磁控濺射裝置的濺射，并控制通入各濺射腔的氧氣和惰性氣體的流量，在通過(guò)電離輝光表面雜質(zhì)與粗糙度處理的柔性透明基材上依次一次性沉積SiO₂、Nb₂O₅、Nb₂O_x、SiO₂、銀或銅、半導(dǎo)體氧化物；x=4.5-4.98；

第一磁控濺射裝置中，氧氣流量12sccm、氬氣流量500sccm、濺射功率2.0KW，真空度達(dá)到4E-3torr；

第二磁控濺射裝置中，氧氣流量50sccm、氬氣流量400sccm、濺射功率16.4KW，真空度達(dá)到4E-3torr；

第三磁控濺射裝置中，氧氣流量10sccm、氬氣流量500sccm、濺射功率10.0KW，真空度達(dá)到4E-3torr；

第四磁控濺射裝置中，氧氣流量30sccm、氬氣流量450sccm、濺射功率20.0KW，真空度達(dá)到4E-3torr；

第五磁控濺射裝置中，氬氣流量400sccm、濺射功率6.0KW，真空度達(dá)到4E-3torr；

第六磁控濺射裝置中，氧氣流量2sccm、氬氣流量300sccm、濺射功率4.0KW，真空度達(dá)到4E-3torr。

2.如權(quán)利要求1所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜制備方法，其特征是：所述柔性透明基材為PET或柔性玻璃。

3.如權(quán)利要求1所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜制備方法，其特征是：該制備方法包括一個(gè)具有放卷腔、所述真空鍍膜腔和收卷腔的腔體，放卷腔、收卷腔內(nèi)分別設(shè)置放卷輥、收卷輥，所述真空鍍膜腔內(nèi)設(shè)置冷卻輥；所述各磁控濺射裝置環(huán)繞冷卻輥設(shè)置；柔性透明基材從放卷輥上放出后經(jīng)冷卻輥冷卻、穿過(guò)各磁控濺射裝置的濺射腔后被收卷輥收卷。

4.如權(quán)利要求3所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜制備方法，其特征是：在放卷腔內(nèi)還設(shè)置有用于對(duì)柔性透明基材的預(yù)沉積表面進(jìn)行處理的輝光放電離子表面處理裝置。

5.節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜，其特征是：其是按照權(quán)利要求1所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜制備方法制備的，其包括柔性透明基材及通過(guò)磁控濺射技術(shù)依次沉積在柔性透明基材上的SiO₂層、Nb₂O₅層、Nb₂O_x層、SiO₂層、銀層或銅層、半導(dǎo)體氧化物層；x=4.5-4.98。

6.如權(quán)利要求5所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜，其特征是：所述半導(dǎo)體氧化物為摻鈦氧化鋅錫或摻鈦氧化銦錫；半導(dǎo)體氧化物的組成為：質(zhì)量比為2-7.5%的TiO₂、2-7.5%的Sn₂O₃、剩余含量的ZnO₂或In₂O₃。

7.如權(quán)利要求6所述的節(jié)能型柔性透明導(dǎo)電薄膜，其特征是：柔性透明基材、SiO₂層、Nb₂O₅層、Nb₂O_x層、SiO₂層、銀層或銅層、半導(dǎo)體氧化物層的厚度分別為：20-50μm；2-5nm；5-10nm；2-10nm；5-25nm；5-25nm；5-25nm。