[發明專利]一種臭椿組培快繁殖方法

無效

• 申請號: 201510085926.X
• 申請日: 2015-02-22
• 公開（公告）號: CN104686336A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 劉木嬌
• 申請（專利權）人: 劉木嬌
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 玉林市振盛專利商標代理事務所 45109
• 代理人: 吳安儀

1.一種臭椿組培快繁殖方法，其特征在于包括以下步驟：

?（1）外植體處理及消毒：選取健壯植株上切取帶腋芽的萌檗枝條作為外植體，剪去葉片，切成3.0～5.0長的帶有2～3個腋芽的節段先用洗衣粉水沖洗1～3h，再用毛刷刷洗外植體表面將其表面的塵土和部分菌體去除，然后用自來水沖洗1～3h后置于超凈工作臺中，先用75%乙醇消毒5～30s后用無菌水洗3～5次，再用0.1%升汞溶液消毒10～25min，用無菌水沖洗4～6次再用無菌濾紙擦干表面的水珠后備用；

（2）腋芽誘導：將步驟（1）處理后萌檗枝條切成1.5～2.5cm小段并接種到誘導培養基上,先在25～28℃條件下全暗培養10～15天，然后置于每天光照10～12小時，光照強度為1500～3000lx，直至誘導形成叢生芽；

（3）增殖培養：將步驟（2）培養獲得的嫩芽長至約2cm時切離并轉入增殖培養基上進行繼代培養，接種后先在25～28℃條件下全暗培養7～14天，然后置于每天光照12～16小時，光照強度為3000～5000lx，置于培養溫度為25～28℃的條件下培養，多次反復切割進行繼代培養，得到萌芽；

（4）生根培養：將步驟（2）或（3）過程獲得的高度約為2.5～3.5cm的叢生芽芽分切接種到生根培養基上進行生根培養，接種后先在25～28℃條件下全暗培養7～14天，然后置于每天光照14～16小時，光照強度為2000～3000lx，培養溫度為25～28℃的條件下培養至生根；

（5）煉苗移栽：將步驟（4）獲得的高約6～8cm的生根試管苗去瓶蓋置于自然光照下煉苗5～7天后，將試管苗從培養瓶中取出，洗掉根部培養基，栽入由營養土：沙土＝2:1混合成的基質,置于光照培養箱內培養，每天以1/2MS大量元素營養液給幼苗澆水，保持濕度,待幼苗成活后再移栽大田。

2.根據權利要求1所述的一種臭椿組培快繁殖方法，其特征在于步驟（2）所述的誘導培養基為：N₆+1～6mg/L6-BA+0.1～1mg/L?NAA+0.01～0.5mg/L?IBA+15～30g/L蔗糖+3.5～6.0g/L瓊脂，pH為5.4～5.8。

3.根據權利要求1所述的一種臭椿組培快繁殖方法，其特征在于步驟（3）所述的增殖培養基為：N₆+0.1～1mg/LNAA+0.5～4mg/L?6-BA+15～30g/L蔗糖+3.5～6.0g/L瓊脂，pH為5.4～5.8。

4.根據權利要求1所述的一種臭椿組培快繁殖方法，其特征在于步驟（4）所述的生根培養基為：1/2MS+1～5mg/L?NAA+15～30g/L蔗糖+3.5～6.0g/L瓊脂，pH為5.4～5.8。